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yangweiliu至尊木虫 (著名写手)
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[交流]
【讨论】急！检测半导体掺杂用什么样的离子线技术表征？
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为了检测两个半导体的n型掺杂是否不同，在两个硅片上n型掺杂（植入P），掺杂浓度是5exp13 at/cm2。 请问用什么技术检测：静态二次离子质谱法，动态二次离子质谱法，卢瑟福背散射谱，还是中等能量离子散射谱？为什么？ 在这方面是新手，请多多指教，谢谢！ |
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