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yangweiliu

至尊木虫 (著名写手)

[交流] 【讨论】急!检测半导体掺杂用什么样的离子线技术表征?

为了检测两个半导体的n型掺杂是否不同,在两个硅片上n型掺杂(植入P),掺杂浓度是5exp13 at/cm2。
请问用什么技术检测:静态二次离子质谱法,动态二次离子质谱法,卢瑟福背散射谱,还是中等能量离子散射谱?为什么?
在这方面是新手,请多多指教,谢谢!
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