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weijiao

木虫 (正式写手)

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[交流] 【讨论】Si(100)晶片能通过湿法刻蚀出垂直侧壁吗？

各位虫友，一起来讨论下：
On a (100)wafer, by using wet etching,whether we can achieve a channel
structure with vertical sidewalls?
If ok, how?
If not, why?

已解决，谢谢各位虫友～

[ Last edited by weijiao on 2009-8-2 at 13:41 ]

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1楼 2009-04-22 00:03:06

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lys011

银虫 (小有名气)

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jackchen145(金币+1,VIP+0):谢谢讨论，欢迎常来微纳版！ 4-22 13:14
薰衣草儿(金币+1,VIP+0):欢迎讨论~：） 11-15 14:30

蚀刻法很难控制，基本是不可能的，因为上下腐蚀的速率不一样，可以尝试用离子轰击、离子减薄试一试。

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三人行，必有我师！

2楼2009-04-22 00:29:43

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SCU_magiclee

铁杆木虫 (正式写手)

硅材料研发人员

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jackchen145(金币+2,VIP+0):谢谢讨论，欢迎常来微纳版！ 4-22 13:14
薰衣草儿(金币+1,VIP+0):欢迎讨论~：） 11-15 14:30

不知道你要做什么用。但从我看的文献以及自己的实验经验是完全可行的哈。具体可以参照清华大学彭奎庆的文章。用HF-AgNO3混合溶液对硅片进行刻蚀，可以制备尺寸可控的硅纳米线阵列。但是如果你要的尺寸是为微米级的就需要你自己再试试了。
他们组发在Angewandte Chemie上的文章：
Uniform, Axial-Orientation Alignment of One-Dimensional Single-Crystal Silicon Nanostructure Arrays**你自己查一下哈

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是金子总会发光！！！

3楼2009-04-22 02:03:12

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