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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 微米和纳米 » 微纳加工 » 【讨论】Si(100)晶片能通过湿法刻蚀出垂直侧壁吗？
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weijiao

木虫 (正式写手)

[交流] 【讨论】Si(100)晶片能通过湿法刻蚀出垂直侧壁吗？

各位虫友，一起来讨论下：
On a (100)wafer, by using wet etching,whether we can achieve a channel
structure with vertical sidewalls?
If ok, how?
If not, why?



已解决，谢谢各位虫友～

[ Last edited by weijiao on 2009-8-2 at 13:41 ]
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1楼 2009-04-22 00:03:06
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lys011

银虫 (小有名气)
★ ★
jackchen145(金币+1,VIP+0):谢谢讨论，欢迎常来微纳版！ 4-22 13:14
薰衣草儿(金币+1,VIP+0):欢迎讨论~：） 11-15 14:30
蚀刻法很难控制，基本是不可能的，因为上下腐蚀的速率不一样，可以尝试用离子轰击、离子减薄试一试。
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三人行，必有我师！
2楼2009-04-22 00:29:43
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SCU_magiclee

铁杆木虫 (正式写手)

硅材料研发人员
★ ★ ★
jackchen145(金币+2,VIP+0):谢谢讨论，欢迎常来微纳版！ 4-22 13:14
薰衣草儿(金币+1,VIP+0):欢迎讨论~：） 11-15 14:30
不知道你要做什么用。但从我看的文献以及自己的实验经验是完全可行的哈。具体可以参照清华大学彭奎庆的文章。用HF-AgNO3混合溶液对硅片进行刻蚀，可以制备尺寸可控的硅纳米线阵列。但是如果你要的尺寸是为微米级的就需要你自己再试试了。
他们组发在Angewandte Chemie上的文章：
Uniform, Axial-Orientation Alignment of One-Dimensional Single-Crystal Silicon Nanostructure Arrays**你自己查一下哈
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是金子总会发光！！！
3楼2009-04-22 02:03:12
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quanbaogang

木虫 (正式写手)
★ ★
kqy920(金币+1,VIP+0):谢谢讨论 7-31 10:06
薰衣草儿(金币+1,VIP+0):欢迎讨论~：） 11-15 14:30
可以通过单晶硅的各向异性湿法刻蚀实现。如果可以的话还是选择干法刻蚀最好了。
湿法刻蚀要选择100面的单晶硅的一个方向与图形窗口的边平行才好。

[ Last edited by quanbaogang on 2009-4-30 at 08:36 ]
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4楼2009-04-30 08:35:14
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highchen

金虫 (小有名气)
★ ★ ★
小木虫(金币+0.5):给个红包，谢谢回帖交流
kqy920(金币+1,VIP+0):谢谢讨论 7-31 10:06
薰衣草儿(金币+1,VIP+0):欢迎讨论~：） 11-15 14:30
如果是微米级加工，湿法不太可能，还是ICP直接处理吧，这个工艺很成熟。
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5楼2009-07-30 20:48:59
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damuchongzi

铁杆木虫 (小有名气)
★ ★
小木虫(金币+0.5):给个红包，谢谢回帖交流
薰衣草儿(金币+1,VIP+0):欢迎讨论~：） 11-15 14:30
呵呵，很简单！这是典型的一种制作垂直微镜方法。KOH溶液，（100）硅片，掩蔽层斜边方向与对位边<110>方向夹角45度即可。
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6楼2009-11-15 12:06:27
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maccaboy

至尊木虫 (著名写手)
★
小木虫(金币+0.5):给个红包，谢谢回帖交流
引用回帖:
Originally posted by damuchongzi at 2009-11-15 12:06:
呵呵，很简单！这是典型的一种制作垂直微镜方法。KOH溶液，（100）硅片，掩蔽层斜边方向与对位边<110>方向夹角45度即可。

人家要求垂直侧壁  这可以吗
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7楼2010-01-15 19:46:12
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damuchongzi

铁杆木虫 (小有名气)
★
小木虫(金币+0.5):给个红包，谢谢回帖交流
wdwsnnu(金币+0,VIP+0):谢谢讨论 1-16 15:38
回复6楼，答案是可以！可以查查MEMS OPTICAL SWITCH DE1有关paper
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8楼2010-01-16 02:08:10
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