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weijiao木虫 (正式写手)
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[交流]
【讨论】Si(100)晶片能通过湿法刻蚀出垂直侧壁吗？
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各位虫友，一起来讨论下： On a (100)wafer, by using wet etching,whether we can achieve a channel structure with vertical sidewalls? If ok, how? If not, why? 已解决，谢谢各位虫友～ [ Last edited by weijiao on 2009-8-2 at 13:41 ] |
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2楼2009-04-22 00:29:43
SCU_magiclee
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jackchen145(金币+2,VIP+0):谢谢讨论，欢迎常来微纳版！ 4-22 13:14
薰衣草儿(金币+1,VIP+0):欢迎讨论~：） 11-15 14:30
jackchen145(金币+2,VIP+0):谢谢讨论，欢迎常来微纳版！ 4-22 13:14
薰衣草儿(金币+1,VIP+0):欢迎讨论~：） 11-15 14:30
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不知道你要做什么用。但从我看的文献以及自己的实验经验是完全可行的哈。具体可以参照清华大学彭奎庆的文章。用HF-AgNO3混合溶液对硅片进行刻蚀，可以制备尺寸可控的硅纳米线阵列。但是如果你要的尺寸是为微米级的就需要你自己再试试了。 他们组发在Angewandte Chemie上的文章： Uniform, Axial-Orientation Alignment of One-Dimensional Single-Crystal Silicon Nanostructure Arrays**你自己查一下哈 |
3楼2009-04-22 02:03:12
quanbaogang
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highchen
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5楼2009-07-30 20:48:59
damuchongzi
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6楼2009-11-15 12:06:27
maccaboy
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8楼2010-01-16 02:08:10
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