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[交流]
硅的氧化温度、时间与氧化膜质量的关系
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哪位虫友帮忙解决一下硅的氧化温度、时间与氧化膜质量间的关系啊？即：氧化时间短，形成的氧化膜质量会很差吗？ 我的工艺条件：氧化温度980℃，时间：25min，流量540ml/min，氧化膜厚度：56.3nm，膜厚正常吗？ 谢谢！ |
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