| 查看: 2548 | 回复: 2 | ||
kin123321新虫 (初入文坛)
|
[求助]
求助spacer和sidewall etch back工艺
|
|
求问工艺的要求，是否对牺牲层侧壁垂直度要求非常高？另外，如果侧壁的平整度差，突刺太多，是不是很难形成spacer的结构？ 另外实验室光刻胶显影后呈现正梯形，并且在rie里被刻蚀的较快，导致下层材料刻蚀的侧壁角度很斜。请问有无办法解决？ 实验室光刻显影都是手工的，是不是会导致光刻胶边缘的不平整？ 非常抱歉问题很多，希望诸位不吝赐教！ 发自小木虫Android客户端 |
回复此楼» 猜你喜欢
请问对标matlab的开源软件octave的网站https://octave.org为什么打不开？
已经有1人回复
-
求助两种BiOBr晶体的CIF文件（卡片号为JCPDS 09-0393与JCPDS 01-1004 ）
已经有0人回复
-
金属材料论文润色/翻译怎么收费?
已经有123人回复
-
哈尔滨工程大学材化学院国家级青年人才-26年硕士招生
已经有0人回复
-
求助Fe-TCPP、Zn-TCPP的CIF文件，或者CCDC号
已经有0人回复
» 本主题相关商家推荐: (我也要在这里推广)
czcdxmc
木虫 (正式写手)
MEMS小学生
- 应助: 13 (小学生)
- 金币: 5212.9
- 散金: 70
- 红花: 8
- 帖子: 845
- 在线: 101.7小时
- 虫号: 2088420
- 注册: 2012-10-26
- 性别: GG
- 专业: 半导体微纳机电器件与系统
2楼2018-11-09 06:30:33
shijie6356
铁虫 (著名写手)
- 应助: 2 (幼儿园)
- 金币: 2954.8
- 散金: 1242
- 红花: 7
- 帖子: 1531
- 在线: 89.6小时
- 虫号: 3553295
- 注册: 2014-11-22
- 专业: 半导体电子器件
3楼2018-11-09 18:01:50