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新虫 (初入文坛)

[求助] 能带分析

本人在用MS计算半导体GeP 的性质，即空位对其能带的影响，结果是不同位置的P空位都会使得本来的半导体材料能带变为零，请问这个可以说明什么呢？请大神帮我分析一下，谢谢~

1楼 2018-10-28 17:55:14

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新虫 (初入文坛)

引用回帖:

2楼: Originally posted by mhslee at 2018-10-29 12:55:27
摻雜或缺陷不會改變變原材料固有的能隙，而是在能帶結構中引入額外的態，空的或?讚亩加锌赡堋Ｈ绻麚降蒙伲部赡軐Σ牧系男再|影響是小的。

您好，我的计算结果可能要涉及到磁性分析，材料本身固有磁矩是1uB，带隙为2eV，引入一个P空位后，磁矩为仍然为1uB,但是带隙为零，是自旋向上的电子产生的新能带，自旋向下的没有变，请问这种结果有什么意义吗？应该怎么分析呢？谢谢谢谢谢谢解答~

3楼2018-11-01 09:28:22

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木虫 (正式写手)

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小红豆: 金币+10, 感谢回复 2018-10-30 00:06:54

摻雜或缺陷不會改變變原材料固有的能隙，而是在能帶結構中引入額外的態，空的或?讚亩加锌赡堋Ｈ绻麚降蒙伲部赡軐Σ牧系男再|影響是小的。

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李明憲

2楼2018-10-29 12:55:27

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