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新虫 (初入文坛)

[求助] 能带分析

本人在用MS计算半导体GeP 的性质,即空位对其能带的影响,结果是不同位置的P空位都会使得本来的半导体材料能带变为零,请问这个可以说明什么呢?请大神帮我分析一下,谢谢~
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mhslee

木虫 (正式写手)

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小红豆: 金币+10, 感谢回复 2018-10-30 00:06:54
摻雜或缺陷不會改變變原材料固有的能隙,而是在能帶結構中引入額外的態,空的或?讚亩加锌赡堋H绻麚降蒙伲部赡軐Σ牧系男再|影響是小的。

发自小木虫Android客户端
李明憲
2楼2018-10-29 12:55:27
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新虫 (初入文坛)

引用回帖:
2楼: Originally posted by mhslee at 2018-10-29 12:55:27
摻雜或缺陷不會改變變原材料固有的能隙,而是在能帶結構中引入額外的態,空的或?讚亩加锌赡堋H绻麚降蒙伲部赡軐Σ牧系男再|影響是小的。

您好,我的计算结果可能要涉及到磁性分析,材料本身固有磁矩是1uB,带隙为2eV,引入一个P空位后,磁矩为仍然为1uB,但是带隙为零,是自旋向上的电子产生的新能带,自旋向下的没有变,请问这种结果有什么意义吗?应该怎么分析呢?谢谢谢谢谢谢解答~
3楼2018-11-01 09:28:22
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