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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 化学化工区 » 电化学 » 化学电源 » 氧化亚硅高温煅烧出现的一些问题
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张娟呵呵

铜虫 (小有名气)

[求助] 氧化亚硅高温煅烧出现的一些问题 已有1人参与

氧化亚硅750度高温4小时，XRD测试材料还是无定形态，没有硅的峰，不过容量以及首效降低太多，是不是因为高温煅烧导致氧化亚硅歧化生成二氧化硅包覆在颗粒表面，导致材料的导电性变差？如果发生了歧化反应XRD测试为什么没有显示硅的峰？谢谢大家
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1楼 2018-09-17 10:41:24
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_星子_

金虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
感谢参与，应助指数 +1
张娟呵呵: 金币+20 2018-09-20 09:45:58
氧化亚硅在大于600度（保护气）时就会发生缓慢的歧化反应，产生的二氧化硅和硅单质是无定形态的，XRD不会有明显的特征峰，希望有帮助！PS：你用的氧化亚硅是市售还是自制，另外加热的目的是什么？
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2楼2018-09-18 15:14:22
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张娟呵呵

铜虫 (小有名气)
引用回帖:
2楼: Originally posted by _星子_ at 2018-09-18 15:14:22
氧化亚硅在大于600度（保护气）时就会发生缓慢的歧化反应，产生的二氧化硅和硅单质是无定形态的，XRD不会有明显的特征峰，希望有帮助！PS：你用的氧化亚硅是市售还是自制，另外加热的目的是什么？

氧化亚硅是自制，我是将氧化亚硅作为锂离子电池负极材料，将氧化亚硅高温歧化生成纳米硅晶畴和氧化硅，是为了提高其首次库伦效率。
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3楼2018-09-19 10:11:31
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_星子_

金虫 (小有名气)
引用回帖:
3楼: Originally posted by 张娟呵呵 at 2018-09-19 10:11:31
氧化亚硅是自制，我是将氧化亚硅作为锂离子电池负极材料，将氧化亚硅高温歧化生成纳米硅晶畴和氧化硅，是为了提高其首次库伦效率。...

我也在尝试合成氧化亚硅，但还没成功，因为可参考的工艺太少！
通过亚硅分解提高首效，思路是可取的，但需要精确控制歧化程度，另外分解产生的硅和氧化硅的分布也很重要，歧化的理想状态应该是氧化硅完全包覆硅，但实际情况是二者是共存在颗粒表面的，所以，可能需要把表面生成的硅去掉，整个结构才会稳定。
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afeitfj
4楼2018-09-19 15:10:21
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ldd307

金虫 (小有名气)
引用回帖:
4楼: Originally posted by _星子_ at 2018-09-19 15:10:21
我也在尝试合成氧化亚硅，但还没成功，因为可参考的工艺太少！
通过亚硅分解提高首效，思路是可取的，但需要精确控制歧化程度，另外分解产生的硅和氧化硅的分布也很重要，歧化的理想状态应该是氧化硅完全包覆硅， ...

为什么氧化亚硅歧化后可以提高首效呢？硅和氧的比例并没有改变啊。

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5楼2018-10-14 18:20:40
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wangjingwei

新虫 (初入文坛)
引用回帖:
5楼: Originally posted by ldd307 at 2018-10-14 18:20:40
为什么氧化亚硅歧化后可以提高首效呢？硅和氧的比例并没有改变啊。
...

因为SiO和Si的首效区别大
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6楼2018-11-20 20:06:51
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afeitfj

新虫 (小有名气)
送红花一朵
引用回帖:
4楼: Originally posted by _星子_ at 2018-09-19 15:10:21
我也在尝试合成氧化亚硅，但还没成功，因为可参考的工艺太少！
通过亚硅分解提高首效，思路是可取的，但需要精确控制歧化程度，另外分解产生的硅和氧化硅的分布也很重要，歧化的理想状态应该是氧化硅完全包覆硅， ...

楼主说理想的情况是氧化硅包裹晶体硅，不是吧，这样的话硅不就更不好发挥容量了，不是一般都要打开包裹的那层氧化硅基质吗

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7楼2019-04-28 10:20:09
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匿名

用户注销 (小有名气)
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8楼2020-03-20 13:48:43
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