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【求助】半导体的带边位置
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ECB=X-Ee-0.5Eg 式中ECB是导带带边的氧化还原电势，X是组成半导体体系各原子电负性的几何平均值，Ee是个常数，Eg采用的是经过“剪刀算符”修正的体系的带隙值。 可我通过这个公式计算出来的结构和文献上的不一样~请各位赐教~ |
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