| 查看: 377 | 回复: 0 | |||
| 当前主题已经存档。 | |||
[交流]
【求助】半导体的带边位置
|
|||
|
ECB=X-Ee-0.5Eg 式中ECB是导带带边的氧化还原电势，X是组成半导体体系各原子电负性的几何平均值，Ee是个常数，Eg采用的是经过“剪刀算符”修正的体系的带隙值。 可我通过这个公式计算出来的结构和文献上的不一样~请各位赐教~ |
回复此楼» 猜你喜欢
298求调剂
已经有4人回复
-
生物学308分求调剂（一志愿华东师大）做过分子实验
已经有7人回复
-
288求调剂，一志愿华南理工大学071005
已经有11人回复
-
一志愿深大085601材料工程专业（专硕）300分可以调剂去哪
已经有13人回复
-
一志愿郑州大学085600求调剂
已经有24人回复
-
327求调剂
已经有12人回复
-
327求调剂
已经有10人回复
-
材料考研求调剂总分280
已经有28人回复
-
308求调剂
已经有14人回复
-
材料专硕调剂
已经有13人回复
10