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求硅片清洗流程（有效期至2009年4月20日）
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本人正在利用含有二氧化硅层的高掺杂硅片制备器件，期间遇到了硅片清洗的问题，因为每次做的器件在高倍光学显微镜（1000倍）观测，发现硅片表面不是很干净，因此影响了器件的性能。 在此真诚请教各位高手，请教含有氧化层的硅片的清洗流程（不能破坏氧化层），谢谢各位赐教！ 谢谢了！ |
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 硅片 |
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标准硅片清洗流程： （1）丙酮溶液超声3－5分钟，无水乙醇超声3－5分钟，前后反复两遍，后用热、冷去离子水冲洗； （2）用HF溶液（HF:H2O）泡30秒，冲去离子水15分钟； （3）用I号洗液(NH4OH:H202:H20),先把去离子水加热至85°C，倒入NH4OH和H202，放入晶片，在烧杯中煮15分钟，后用去离子水冲6－7遍； （4）用稀释HF溶液（HF:H2O）泡30秒，冲热去离子水15分钟； （5）用II号洗液(HCl:H202:H20),先把去离子水加热至85°C，倒入HCl和H202，放入晶片，在烧杯中煮15分钟，后冲热去离子水15分钟，冲冷去离子水5分钟； （6）吹干后，烘干备用。 参见; http://memsc.xmu.edu.cn/mems_shiyan/mems_gongyi_6.asp |
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