| 查看: 2246 | 回复: 16 | ||||
| 当前主题已经存档。 | ||||
| 当前只显示满足指定条件的回帖，点击这里查看本话题的所有回帖 | ||||
[交流]
求硅片清洗流程（有效期至2009年4月20日）
|
||||
|
本人正在利用含有二氧化硅层的高掺杂硅片制备器件，期间遇到了硅片清洗的问题，因为每次做的器件在高倍光学显微镜（1000倍）观测，发现硅片表面不是很干净，因此影响了器件的性能。 在此真诚请教各位高手，请教含有氧化层的硅片的清洗流程（不能破坏氧化层），谢谢各位赐教！ 谢谢了！ |
回复此楼» 收录本帖的淘帖专辑推荐
 硅片 |
» 猜你喜欢
售SCI一区T0P文章，我:8O.55.1.O.54,科目全,可伽急
已经有6人回复
-
售SCI文章，我:8O.5.5.1O.54,科目全,可十急
已经有6人回复
-
售SCI一区T0P文章，我:8.O55.1.O.54,科目全,可十急
已经有6人回复
-
售SCI一区T0P文章，我:8.O.55.1.O54,科目全,可伽急
已经有4人回复
-
售SCI文章，我:8O5.5.1.O.54,科目齐全,可+急
已经有6人回复
-
售一区SCI文章T0P，我:8O.551.O54,科目全,可十急
已经有8人回复
-
两块石头
已经有9人回复
-
售SCI一区T0P文章，我:8.O.55.1.O.5.4,科目全,可+急
已经有6人回复
-
售一区SCI文章T0P，我:8O.551.O54,科目全,可十急
已经有9人回复
-
售SCI文章，我:8O.5.5.1O.54,科目全,可十急
已经有8人回复
Toby_John
铁杆木虫 (职业作家)
- 应助: 0 (幼儿园)
- 贵宾: 0.24
- 金币: 11164.2
- 红花: 2
- 帖子: 4195
- 在线: 253.1小时
- 虫号: 494780
- 注册: 2008-01-14
- 性别: GG
- 专业: 模式识别
★
mqx_zm(金币+1,VIP+0):3kx 3-28 18:53
mqx_zm(金币+1,VIP+0):3kx 3-28 18:53
|
标准硅片清洗流程： （1）丙酮溶液超声3－5分钟，无水乙醇超声3－5分钟，前后反复两遍，后用热、冷去离子水冲洗； （2）用HF溶液（HF:H2O）泡30秒，冲去离子水15分钟； （3）用I号洗液(NH4OH:H202:H20),先把去离子水加热至85°C，倒入NH4OH和H202，放入晶片，在烧杯中煮15分钟，后用去离子水冲6－7遍； （4）用稀释HF溶液（HF:H2O）泡30秒，冲热去离子水15分钟； （5）用II号洗液(HCl:H202:H20),先把去离子水加热至85°C，倒入HCl和H202，放入晶片，在烧杯中煮15分钟，后冲热去离子水15分钟，冲冷去离子水5分钟； （6）吹干后，烘干备用。 参见; http://memsc.xmu.edu.cn/mems_shiyan/mems_gongyi_6.asp |
3楼2009-03-28 17:05:16
yuegh
铁杆木虫 (职业作家)
- 应助: 2 (幼儿园)
- 金币: 19847.2
- 散金: 60
- 红花: 3
- 帖子: 3512
- 在线: 183.8小时
- 虫号: 132145
- 注册: 2005-12-13
- 专业: 凝聚态物性 II ：电子结构
4楼2009-03-28 17:07:16
5楼2009-03-28 18:29:08
6楼2009-03-28 18:52:07
