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bluence

新虫 (小有名气)

[交流] 半导体异质结界面的强反型

半导体MIS结构中的强反型条件是表面少子浓度与体内多子浓度相等
我不明白的是
1、在这个条件下，通过增大栅压，可继续增大表面少子浓度，但为什么少子只会堆积在反型层中？
2、MS结构中，也有反型层，但失去了绝缘层后，候强反型是否还会使耗尽层电势不再增大？
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1楼 2018-06-28 21:51:42
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sjphytf0462楼
2018-06-28 21:58   回复  
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tangbohejin3楼
2018-06-28 22:00   回复  
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jjyej294楼
2018-06-28 22:06   回复  
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祝福
zqunm5395楼
2018-06-28 22:12   回复  
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xetde846楼
2018-06-28 22:17   回复  
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fmhgrz567楼
2018-06-28 22:19   回复  
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dbzqeb748楼
2018-06-28 22:21   回复  
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wvsvp7839楼
2018-06-28 22:21   回复  
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eaukcs2310楼
2018-06-28 22:22   回复  
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nydrwap80411楼
2018-06-28 22:23   回复  
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