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【求助】Si掺杂AlN应用
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Si掺杂AlN后是n型掺杂，费米面插在导带中间，这表明发生了莫特相变，由半导体转化成了金属。我想了解一下，这发生的莫特相变对光电器件应用来说有什么影响？ 还有就是掺杂之后在2ev能量处，即可见光区有了新的吸收，这改善了系统在可见光区的吸收特性，结合前面的金属特性，有什么意义，对器件应用造成什么影响？ 大家可以解释讨论一下吗？ 有关于Si掺杂AlN. 和AlN掺杂Mg等p型掺杂的文章直接分享一下吗？谢谢！ 为了答谢大家的帮助，会适当发送金币，谢谢！ |
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