| 查看: 167 | 回复: 0 | |||
| 当前主题已经存档。 | |||
[交流]
【求助】Si掺杂AlN应用
|
|||
|
Si掺杂AlN后是n型掺杂，费米面插在导带中间，这表明发生了莫特相变，由半导体转化成了金属。我想了解一下，这发生的莫特相变对光电器件应用来说有什么影响？ 还有就是掺杂之后在2ev能量处，即可见光区有了新的吸收，这改善了系统在可见光区的吸收特性，结合前面的金属特性，有什么意义，对器件应用造成什么影响？ 大家可以解释讨论一下吗？ 有关于Si掺杂AlN. 和AlN掺杂Mg等p型掺杂的文章直接分享一下吗？谢谢！ 为了答谢大家的帮助，会适当发送金币，谢谢！ |
回复此楼» 猜你喜欢
关于如何从代码看上不上会
已经有9人回复
-
硝基还原
已经有5人回复
-
化学口会评？应用基础研究和基础研究，希望能分开
已经有3人回复
-
在职考研
已经有6人回复
-
MSER送审了还被拒稿
已经有4人回复
-
今年E04面上
已经有21人回复
-
2026年面上项目中了，2A+B, 会评顺利通过
已经有14人回复
-
b口会评
已经有5人回复
-
大龄残疾硕士的一点执念
已经有22人回复
-
生命口会评
已经有4人回复