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硅片 Si 氢氧化钾 KOH 湿法刻蚀已有1人参与
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做KOH刻蚀硅表面，前两次做出现致密的四面体结构，第三次做的时候表面的四面体很稀疏，有的间距达到几十微米。而且表面有点亮亮的，反光，有时候看起来有点疏水 但我用的是同样的参数，温度 80，KOH，2.5wt%；IPA，4vt%。反应过程中烧杯上面有个盖子，但还是有缝。 目前重复了几组，还是不行，看到文献说与IPA浓度有关，刚刚做了一组没有加IPA的，反应完更亮了，像没反应一样。硅片拿来就是丙酮和乙醇清洗后吹干的。 我现在也找不到原因了，希望有经验的虫友给些建议 万分感谢  |
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