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【调剂】北京石油化工学院2024年16个专业接受调剂
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伊纱

铜虫 (小有名气)

[求助] 硅片 Si 氢氧化钾 KOH 湿法刻蚀已有1人参与

做KOH刻蚀硅表面，前两次做出现致密的四面体结构，第三次做的时候表面的四面体很稀疏，有的间距达到几十微米。而且表面有点亮亮的，反光，有时候看起来有点疏水
但我用的是同样的参数，温度  80，KOH，2.5wt%；IPA，4vt%。反应过程中烧杯上面有个盖子，但还是有缝。
目前重复了几组，还是不行，看到文献说与IPA浓度有关，刚刚做了一组没有加IPA的，反应完更亮了，像没反应一样。硅片拿来就是丙酮和乙醇清洗后吹干的。
我现在也找不到原因了，希望有经验的虫友给些建议  万分感谢
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1楼2018-05-31 18:15:57
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xuzhixiao

铁杆木虫 (著名写手)

Science, Technology and Art
四面体结构是指扫描电镜下能看到金字塔形貌吗

发自小木虫IOS客户端
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”五爱青年“：爱科技，爱音乐，爱IT，爱阅读，爱健身
2楼2018-06-01 10:56:43
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伊纱

铜虫 (小有名气)
引用回帖:
2楼: Originally posted by xuzhixiao at 2018-06-01 10:56:43
四面体结构是指扫描电镜下能看到金字塔形貌吗

对，第一次做SEM看是金字塔结构，后来死活没有了，用的同样的条件
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3楼2018-06-01 15:39:42
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伊纱

铜虫 (小有名气)
不要沉啊
有时候反应完背面有结构，抛光面反而没有
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4楼2018-06-02 03:19:37
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guoxingnann

新虫 (小有名气)
引用回帖:
4楼: Originally posted by 伊纱 at 2018-06-02 03:19:37
不要沉啊
有时候反应完背面有结构，抛光面反而没有

你只用IPA吗
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5楼2018-11-26 13:40:49
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gyxzby

铜虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

额，硅片使用的是同一批次么，因为硅片为了得到电阻率的变化会掺杂，掺杂的浓度不同，经常掺杂的区域会导致蚀刻速率变化或者你买的晶圆便宜质量差导致部分晶圆上的平面是以错误的角度切割而不能达到你的刻蚀要求。建议你排查一下。另外刻蚀失败的晶圆有条件可以照一下SEM确定光亮处形貌更好判断
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6楼2018-11-30 14:19:03
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花梨小学生

新虫 (初入文坛)
你好，我导师建议我用KOH和IPA刻蚀玻璃，请问您这个配方（KOH，2.5wt%；IPA，4vt%）是什么意思呀？是2.5wt%的KOH和4vt%的IPA按照1:1或是某个比例混合配在一起吗？求答疑
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7楼2018-12-09 22:45:28
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