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量子点发光二极管（QLED）基础知识及常见问题分析已有3人参与
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实验室验证一般采用旋涂法构筑QLEDs，其结构为: ITO（Anode）/HIL/HTL/QDs EML/ETL/Cathode(Al、Ag) 1、 ITO：电阻率低、功函高以及透明性良好 2、 HIL：一般选择PEDOT  SS，有透明度高、可溶液加工制备、热稳定好、易沉积、表面粗糙度低和成本低等特点，但是这种材料电导率较低(<1 S/cm），明显低于ITO的电导率；HIL的改性尝试：紫外照射，提高其功函数和电导率；掺杂山梨醇作为缓冲层，退火时山梨醇挥发，降低PEDOT SS链间距离，提高膜导电性；在PEDOTSS中加入二甲亚砜，使得PEDOTSS膜电导率得到极大提高达700 S/cm；掺杂金属纳米粒子（Au、Ag、Cu等），由于纳米粒子的优异光学性质（局域表面等离子体共振效应、能量转移、荧光增强以及界面效应等）；3、 HTL：选择时要满足两类条件，一是具有合适的最高被占据分子轨道能级（HOMO）;二是较高的空穴迁移率，否则，电子和空穴注入的不平衡性加剧，导致器件性能降低；常见的材料为TFB/PVK/poly-TPD/TCTA/CBP；PVK的HOMO能级为-5.8eV，但是空穴迁移率偏低，poly-TPD的分子轨道能级LUMO(-2.3eV)，HOMO(-5.2eV)，TFB的HOMO能级为-5.2eV，空穴迁移率都比PVK要高； 4、 QDs EML：核壳结构量子点的壳层材料存在，不仅能够保证高性能核壳结构量子点的制备和稳定性存在，同时也对其电致发光器件应用中的载流子注入势垒影响显著。构成注入势垒的因素：一是ETL与QDs shell之间的能级差，此处势垒的主要作用是影响载流子注入平衡和注入效率及启亮电压；另一个是QDs shell的厚度变化引起的载流子迁移路径改变行成的注入势垒，主要影响载流子的注入平衡，最终体现在器件效率的高低。 5、 ETL：常用的ZnO、TiO2；ZnO NPs的导带约-4.3eV，与QDs导带接近；在OLED中常用的ETL、EIL材料LUMO能级均高于QDs导带能级，电子会自发跃迁，使QDs被充电，发生俄歇复合，降低发光效率； QLED器件效率受量子点间的福斯特共振能量转移和带电量子点的俄歇复合的影响，这两个因素不仅与量子点的结构和组份有关，还与壳层材料、厚度有很大关系；合金壳层和梯度壳层的量子点能够有效的抑制量子点间的福斯特共振能量转移和带电量子点的俄歇复合； 器件的电致发光光谱相对于溶液状态的量子点有红移现象的原因：可能是由于从小颗粒量子点到大颗粒量子点的福斯特共振能量转移、电场作用下的能力带弯曲以及器件焦耳热等因素引起的；电致发光光谱在蓝光波段区没有寄生蜂，说明激子被有效的限制在量子点发光层内，器件的发光主要来源于QDs层的激子辐射复合； 荧光寿命: 合成包覆较厚壳层的量子点能够有效的抑制福斯特共振能量转移，对荧光寿命提高和保持较好； 核壳结构量子点壳层厚度的改变将会影响量子点的带隙、电子和空穴的注入势垒和传输途径以及量子点内共振能量转移和非辐射俄歇复合速率； |
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