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求paper一片，半导体刻蚀相关的
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Dry Etching of Mo based layers and its interdependence with a poly-Si/MoOxNy/TiN/HfO2 gate stack V.Paraschiv，W.Boullart，E.Altamirano-Sánchez 《Microelectronic Engineering》 Volume 105, May 2013, Pages 60-64 |
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