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倾偌闲

新虫 (著名写手)

应助: 0 (幼儿园)
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在线: 841.3小时
虫号: 5456975
注册: 2017-01-08
性别: GG
专业: 半导体晶体与薄膜材料

[求助] 二维材料转移求助已有1人参与

CVD方法在硅片上生长了TMDS材料，PMMA旋涂成膜后，用NaOH溶液加热腐蚀掉SiO2，PMMA膜脱落后清洗捞至铜网上，之前用碳膜铜网还可以，但用了微栅铜网便没成功过，铜网上没见样品，这是什么情况？如何解决？另外，做TEM时发现，转移后的材料上有一些黑点，打EDS是Si，应该是腐蚀的Si残留，如何改善解决呢？谢谢大家，请有经验的指导一二！！

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1楼 2018-05-10 23:30:58

已阅回复此楼关注TA 给TA发消息送TA红花 TA的回帖

心系清华

新虫 (初入文坛)

应助: 0 (幼儿园)
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在线: 1.4小时
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专业: 半导体晶体与薄膜材料

引用回帖:

1楼: Originally posted by 倾偌闲 at 2018-05-10 23:30:58
CVD方法在硅片上生长了TMDS材料，PMMA旋涂成膜后，用NaOH溶液加热腐蚀掉SiO2，PMMA膜脱落后清洗捞至铜网上，之前用碳膜铜网还可以，但用了微栅铜网便没成功过，铜网上没见样品，这是什么情况？如何解决？另外，做TE ...

可能是材料分散性大，微栅是带孔挂不住，你可用超薄微栅

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