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折戟-沉沙

新虫 (小有名气)

[求助] 请问大家,直流磁控溅射银,溅射速度特别快是怎么回事? 已有2人参与

我看人家磁控溅射银,都是100w,溅射30分钟,也就是几百纳米厚度。可是我溅射,用10 w功率,3分钟就有几百纳米甚至微米级别厚度,导致膜的质量特别差,抽真空到3×10-3次方,Ar气1.2pa的时候溅射。不知道是什么原因造成的,有没有人能帮帮我。

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nuaalizhong

木虫 (正式写手)

靶材和衬底的间距,靶材面积这些都会有影响

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2楼2018-05-05 03:24:28
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天行健08

铜虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

是别人也用这个仪器厚度不一样吗?不同仪器,不同靶材大小,靶基距很多因素都有影响的,自己的仪器的溅射速率是需要测试的。
MEMS
3楼2018-05-11 16:51:20
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野人禾禾

金虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

你如果对标别人的工艺,至少从以下几个方面对标:
1. 电源类型相同,功率密度近似(功率/靶面积)
2. 气压接近
3. 靶基距接近
这样才有比较的前提。银的沉积速率是金属靶里很快的,沉积厚很正常。
你能改变的就是将功率降低,靶基距拉远。
你的本底-3太高了,膜层质量也不会很高。
擅长薄膜材料工艺,欢迎交流captain0119
4楼2018-05-14 10:21:55
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