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hgkjqx

铜虫 (小有名气)

[求助] castep计算晶面吸附多层水时总吸附能的计算

目前有人告诉了两种方法:
1、吸附后构型能量E1。将吸附后构型分别删去上层吸附的水层和下层晶面,不优化直接再进行能量计算,分别得到晶面和水的能量E2、E3,吸附能即E1-E2-E3
2、吸附后构型能量E1。吸附前晶面能量E4,单个水分子的能量E5,吸附能为E1-E4-nE5,n为吸附水分子的数目。
第二种方法没考虑水分子之间的能量。
第一种方法中晶面的能量究竟是用吸附前的计算还是吸附后删掉上层水的计算,有的情况下用这两个能量差别很大
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hgkjqx

铜虫 (小有名气)

引用回帖:
4楼: Originally posted by dingweilu at 2018-04-28 13:25:30
我们也做界面,你所说的两种方法文献中都有,但是我们我们一直用第一个方法,因为两个组分形成界面后,每个组分会产生界面的形变,这一形变后的能量与单组分能量是不同的,所以楼主可以自己再想想,文献太多了
...

是啊,有些晶面吸附后删掉水层的能量和没吸附水层的能量差别不大,有的差别很大,有两个数量级,第一种方法是创腾工作人员说的,第二种是一个老师跟我说的,都很权威,不知道该采用哪个了
5楼2018-04-28 13:31:24
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dingweilu

新虫 (著名写手)

个人觉得第一种更合理,晶面的能量应该删去水层后,在算一遍能量,

发自小木虫Android客户端
2楼2018-04-28 10:56:49
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hgkjqx

铜虫 (小有名气)

引用回帖:
2楼: Originally posted by dingweilu at 2018-04-28 10:56:49
个人觉得第一种更合理,晶面的能量应该删去水层后,在算一遍能量,

谢谢您的回复,只是不知道有没有更权威的资料里面有这个内容
3楼2018-04-28 11:22:54
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dingweilu

新虫 (著名写手)

我们也做界面,你所说的两种方法文献中都有,但是我们我们一直用第一个方法,因为两个组分形成界面后,每个组分会产生界面的形变,这一形变后的能量与单组分能量是不同的,所以楼主可以自己再想想,文献太多了

发自小木虫Android客户端
4楼2018-04-28 13:25:30
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