24小时热门版块排行榜

>论坛更新日志 (3880)
>虫友互识 (934)
>论文投稿 (277)
>休闲灌水 (251)
>导师招生 (174)
>文献求助 (150)
>基金申请 (149)
>硕博家园 (99)
>考博 (85)
>公派出国 (76)
>博后之家 (75)
>教师之家 (61)
>考研 (58)
>论文道贺祈福 (41)
>招聘信息布告栏 (40)
>找工作 (36)

返回列表

小韧1

木虫 (正式写手)

应助: 12 (小学生)
金币: 2069.8
散金: 150
红花: 1
帖子: 580
在线: 330.3小时
虫号: 1113276
注册: 2010-10-03
性别: GG
专业: 功能陶瓷

[求助] ICORELEVEL=2计算XPS Binding energy的困惑

按照vasp手册里ICORELEVEL开关的说明，以金刚石为例计算C 1s的binding energy。
第一步，diamond结构进行正常结构优化。
得到：free  energy TOTEN  =    -132.093817 eV
第二步，使用优化后的结构，按照说明修改POSCAR和POTCAR，
INCAR里参数设置如下：
ICORELEVEL=2
CLNT=2
CLN=1
CLL=0
CLZ=1
进行一步静态计算。
得到 free  energy TOTEN  =    -188.063709 eV
检查OUTCAR里ICORELEVEL参数也加入了（否则TOTEN不会变化那么大）
Core level calculations are selected ICORELEVEL =  2
  CLNT =          2    CLN =    1
  CLL  =          0    CLZ = 1.000
对比两次计算的TOTEN，奇怪的是，第二步把C 1s电子拿到导带后(激发态)的总能却比第一步基态的总能低。按照E(nc-1)-E(nc)=-56 eV，跟实验值285.6 eV没法比。
不知道哪里的问题。等待大神帮忙把把脉。

回复此楼