| 查看: 2620 | 回复: 1 | ||
小韧1木虫 (正式写手)
|
[求助]
ICORELEVEL=2计算XPS Binding energy的困惑
|
|
按照vasp手册里ICORELEVEL开关的说明，以金刚石为例计算C 1s的binding energy。 第一步，diamond结构进行正常结构优化。 得到：free energy TOTEN = -132.093817 eV 第二步，使用优化后的结构，按照说明修改POSCAR和POTCAR， INCAR里参数设置如下： ICORELEVEL=2 CLNT=2 CLN=1 CLL=0 CLZ=1 进行一步静态计算。 得到 free energy TOTEN = -188.063709 eV 检查OUTCAR里ICORELEVEL参数也加入了（否则TOTEN不会变化那么大） Core level calculations are selected ICORELEVEL = 2 CLNT = 2 CLN = 1 CLL = 0 CLZ = 1.000 对比两次计算的TOTEN，奇怪的是，第二步把C 1s电子拿到导带后(激发态)的总能却比第一步基态的总能低。按照E(nc-1)-E(nc)=-56 eV，跟实验值285.6 eV没法比。 不知道哪里的问题。等待大神帮忙把把脉。 |
回复此楼» 猜你喜欢
268求调剂
已经有9人回复
-
301求调剂
已经有4人回复
-
0703化学336分求调剂
已经有5人回复
-
301求调剂
已经有4人回复
-
材料专硕306英一数二
已经有9人回复
-
304求调剂
已经有8人回复
-
材料工程专硕调剂
已经有5人回复
-
344求调剂
已经有4人回复
-
326求调剂
已经有6人回复
-
296求调剂
已经有4人回复
2楼2022-04-06 23:09:26
20