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我想全息做400-800nm周期的光栅，在GaAs上沉积了SiO2或SiN，光刻后没有出现图形。同样的工艺流程，在沉了SiN的InP衬底上可以做出来图形，请问大家知道原因吗？ 同学说是片子表面的亲水性，需要氧气辉光后再做工艺，这个我也试过还是不行，求各位大佬指点。 胶是AZ5214，甩胶大概150nm。 前烘110度三分钟。 |
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GaAs上沉积SiO2曝光后是可以做出图形的，我一直都是在SiO2上做的，不过我用的光刻胶是RZJ304，另外你前烘时间过长了吧，我们实验室做都是前烘105度60s 发自小木虫IOS客户端 |
6楼2018-12-09 20:04:29
