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我想全息做400-800nm周期的光栅，在GaAs上沉积了SiO2或SiN，光刻后没有出现图形。同样的工艺流程，在沉了SiN的InP衬底上可以做出来图形，请问大家知道原因吗？ 同学说是片子表面的亲水性，需要氧气辉光后再做工艺，这个我也试过还是不行，求各位大佬指点。 胶是AZ5214，甩胶大概150nm。 前烘110度三分钟。 |
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3楼2018-07-22 21:10:20
yswyx 
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2楼2018-04-26 16:12:50
pipy
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4楼2018-07-26 17:39:32
5楼2018-12-05 09:07:48