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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 计算模拟区 » 第一性原理 » MS » 【求助】Dmol计算态密度
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hongchen973

铜虫 (正式写手)

[交流] 【求助】Dmol计算态密度

请教大家用Dmol计算态密度的问题。图在下面。
第一个是我按照DMOL tutorials里面的例子画的。是ALAS结构，半导体。和help文件是一致的，但是我不明白为什么在费米能级那里态密度不是0. help文件中也不是。

图2是我计算的（10，0）纳米管。也没有出现传说中的带隙。我看文献中（10，0）管在费米能级处，就是0的位置都有带隙啊。
为什么我算不出来呢。不过outmol文件中说有0.86ev的gap。可为什么态密度图上没有带隙呢。
我用4.3算的。计算条件是DND, LDA, k1*1*5，没用smearing. cutoff4.3. spin restricted.优化之后算的态密度。态密度条件是empty band 40, k 1 1 20

图3是算的（5，5）金属管。可是outmol中说它有0.08ev的band gap，是半导体。why？
这三个问题比较繁琐，还希望高手耐心看一下。多提宝贵建议。
PS: 传说中的展宽怎么回事儿？一直搞不懂，调了scissors是有带隙了。但也不是在能量为0的地方啊？
还请多多指教。

[ Last edited by aylayl08 on 2010-3-18 at 11:05 ]
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1楼 2009-03-14 18:01:57
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xiaoboy185

金虫 (正式写手)
★
hongchen973(金币+1,VIP+0):哈哈，谢谢、 3-15 10:38
给你狠狠的顶一下子
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2楼2009-03-14 19:16:49
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acridine

木虫 (正式写手)
★ ★ ★ ★
hongchen973(金币+4,VIP+0):谢谢谢谢，还请继续关注 3-15 10:36
第一个：MS给出的DOS图的能量0点不是费米能级，而更像是HOMO能级，不信的话计可以算个氢气分子试试
第二个和第三个是展宽的造成得，所谓展宽就是把峰变宽，在analysis->DOS->more->smearing width中可以调节展宽的幅度。因为使用了展宽，所以在DOS图中读能隙时不要从DOS为0的位置开始读，那里只是展宽后“峰的尾巴”，所以还是从结果文件中读能隙最稳妥了
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3楼2009-03-15 08:24:21
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acridine

木虫 (正式写手)
★ ★ ★
hongchen973(金币+3,VIP+0):谢谢谢谢 3-15 10:37
另外关于你说（5，5）管的能隙问题，一方面这个0.08的能隙已经很小了，另外是不是有文献报道过对于细的金属管由于曲率的原因，能隙并非真的为0？这个我不确定了。再者，计算时结构优化得不充分也可能会造成能隙得出现，尤其是使用Dmol优化，轴向晶格长度的优化是个需要注意问题，这对电子结构也有影响

[ Last edited by acridine on 2009-3-15 at 08:31 ]
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4楼2009-03-15 08:30:06
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hongchen973

铜虫 (正式写手)
引用回帖:
Originally posted by acridine at 2009-3-15 08:24:
第一个：MS给出的DOS图的能量0点不是费米能级，而更像是HOMO能级，不信的话计可以算个氢气分子试试
第二个和第三个是展宽的造成得，所谓展宽就是把峰变宽，在analysis->DOS->more->smearing width中可以 ...

第一个，在DMOL tutorials中有一个computing band structure and density of states with Dmol3。在最后分析态密度的时候
examine the number of energy states at Feimi level, i.e.,the point where energy =0, 所以我认为MS给出的DOS图的能量0点是费米能级。
关于第二个和第三个。是不是把smearing width取小一点啊
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5楼2009-03-15 10:35:26
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acridine

木虫 (正式写手)
★ ★ ★
hongchen973(金币+3,VIP+0):呵呵。谢谢。 3-15 11:12
引用回帖:
Originally posted by hongchen973 at 2009-3-15 10:35:

第一个，在DMOL tutorials中有一个computing band structure and density of states with Dmol3。在最后分析态密度的时候
examine the number of energy states at Feimi level, i.e.,the point where energy  ...

呵呵，第一个是我没太说清楚，不过关于费米能级这个概念确实用得比较混乱。如果从“费米能级(Fermi level)是绝对零度下电子的最高能级”这个角度来看，费米能级＝HOMO，它确实是被MS定义在零点的。但你的问题中说“费米能级那里态密度为何不为0”，由此可以看出，你所指的这个费米能级应该是定义在半导体带隙内部的，所以我的意思是：“你所关心的那个“费米能级” 不是在MS的DOS图中0点。发现俺的逻辑比较乱，不知道你能理解不
关于第二个和第三个问题，确实把smearing width取小一点可以使得能隙更明显，但还是那句话，为了计算能隙最好还是从结果文件出发
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6楼2009-03-15 11:05:10
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心宁

金虫 (正式写手)

hehe

★
wuli8(金币+1,VIP+0):(*^__^*) 3-16 20:15
请LS把你所知道的”这个 或者 那个 费米能级“的定义都说说可能我们明白  也更有说服力 谢谢
我同意LZ 的观点
DOS的移动有多种原因 如：键的形成 另外掺杂也会带来影响
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志存高远须积厚流广－坚持不懈定斗转星移！
7楼2009-03-15 17:24:59
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xiaoboy185

金虫 (正式写手)
接着给顶起来看看
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8楼2009-03-16 16:58:12
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