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hongchen973铜虫 (正式写手)
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【求助】Dmol计算态密度
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请教大家用Dmol计算态密度的问题。图在下面。 第一个是我按照DMOL tutorials里面的例子画的。是ALAS结构，半导体。和help文件是一致的，但是我不明白为什么在费米能级那里态密度不是0. help文件中也不是。 图2是我计算的（10，0）纳米管。也没有出现传说中的带隙。我看文献中（10，0）管在费米能级处，就是0的位置都有带隙啊。 为什么我算不出来呢。不过outmol文件中说有0.86ev的gap。可为什么态密度图上没有带隙呢。 我用4.3算的。计算条件是DND, LDA, k1*1*5，没用smearing. cutoff4.3. spin restricted.优化之后算的态密度。态密度条件是empty band 40, k 1 1 20 图3是算的（5，5）金属管。可是outmol中说它有0.08ev的band gap，是半导体。why？ 这三个问题比较繁琐，还希望高手耐心看一下。多提宝贵建议。 PS: 传说中的展宽怎么回事儿？一直搞不懂，调了scissors是有带隙了。但也不是在能量为0的地方啊？ 还请多多指教。 [ Last edited by aylayl08 on 2010-3-18 at 11:05 ] |
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 第一性原理计算 |
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hongchen973(金币+3,VIP+0):呵呵。谢谢。 3-15 11:12
hongchen973(金币+3,VIP+0):呵呵。谢谢。 3-15 11:12
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呵呵，第一个是我没太说清楚，不过关于费米能级这个概念确实用得比较混乱。如果从“费米能级(Fermi level)是绝对零度下电子的最高能级”这个角度来看，费米能级＝HOMO，它确实是被MS定义在零点的。但你的问题中说“费米能级那里态密度为何不为0”，由此可以看出，你所指的这个费米能级应该是定义在半导体带隙内部的，所以我的意思是：“你所关心的那个“费米能级” 不是在MS的DOS图中0点。发现俺的逻辑比较乱，不知道你能理解不 关于第二个和第三个问题，确实把smearing width取小一点可以使得能隙更明显，但还是那句话，为了计算能隙最好还是从结果文件出发 |
6楼2009-03-15 11:05:10
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