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yuh1984木虫 (著名写手)
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[交流]
求助做半导体器件的高手进。
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最近看半导体器件的文献，有几个不明白的问题，希望大家帮帮忙。 1.测Vgs不同值Vds与Ids的变换关系曲线为的是什么? 2.通过Vgs与Ids的变化曲线怎么求μsat和subthreshold gate-voltage swing（s） 他们两个的值有什么意义 3.Vgs与Ids的变化曲线是在Vds一定下测量的，这个Vds是怎么选取的？ 4.W/L对于器件的性质有没有什么影响 才开始看器件的文献，提出这些问题，请别见笑！谢谢大家帮忙！ |
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wanggc2939
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5楼2009-03-13 22:33:29
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yuh1984(金币+10,VIP+0):谢谢你！已经很详细了。 3-11 13:59
yuh1984(金币+5,VIP+0):3q！ 3-16 10:30
yuh1984(金币+10,VIP+0):谢谢你！已经很详细了。 3-11 13:59
yuh1984(金币+5,VIP+0):3q！ 3-16 10:30
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你问的应该是场效应管 1. 不同的Vgs代表不同的栅控能力 这种曲线叫器件输出特性 看的是器件什么时候开启 什么时候饱和 有没有负阻出现 有没有自热效应等 也可以侧面反映 不同栅压时的泄漏电流 栅能承受多大电压等可靠性问题 有时也仅仅为了体现器件最高输出电流 2. 建议看看施敏的器件物理 涉及到很多公式 器件的亚阈特性非常关键 研究最多 3.也可以在不同的Vds下测量 如1中那种曲线一样是多条的 一般选择1中那个Vds 或者选择能够获得较高跨导(dVgs/dIds)时的值 4.宽长比对器件的性质影响很大 比如宽长比越大短沟道效应越严重 而且随着宽长比的改变器件的驱动电压等要跟着变化 |
2楼2009-03-11 13:03:17
陈勇跃
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3楼2009-03-11 14:05:32
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6楼2009-03-16 13:43:46
30