| 查看: 331 | 回复: 5 | |||
| 当前主题已经存档。 | |||
| 当前只显示满足指定条件的回帖，点击这里查看本话题的所有回帖 | |||
yuh1984木虫 (著名写手)
|
[交流]
求助做半导体器件的高手进。
|
||
|
最近看半导体器件的文献，有几个不明白的问题，希望大家帮帮忙。 1.测Vgs不同值Vds与Ids的变换关系曲线为的是什么? 2.通过Vgs与Ids的变化曲线怎么求μsat和subthreshold gate-voltage swing（s） 他们两个的值有什么意义 3.Vgs与Ids的变化曲线是在Vds一定下测量的，这个Vds是怎么选取的？ 4.W/L对于器件的性质有没有什么影响 才开始看器件的文献，提出这些问题，请别见笑！谢谢大家帮忙！ |
回复此楼» 猜你喜欢
拟解决的关键科学问题还要不要写
已经有8人回复
-
求推荐博导
已经有4人回复
-
为什么nbs上溴 没有产物点出现呢
已经有5人回复
-
存款400万可以在学校里躺平吗
已经有34人回复
-
求助一下有机合成大神
已经有4人回复
-
最失望的一年
已经有16人回复
-
求推荐英文EI期刊
已经有5人回复
-
26申博
已经有3人回复
-
基金委咋了？2026年的指南还没有出来？
已经有10人回复
-
疑惑？
已经有5人回复
wanggc2939
金虫 (著名写手)
- 博学EPI: 5
- 应助: 2 (幼儿园)
- 金币: 43.2
- 散金: 2278
- 红花: 17
- 帖子: 1481
- 在线: 238.1小时
- 虫号: 650613
- 注册: 2008-11-10
- 性别: GG
- 专业: 基础物理学
5楼2009-03-13 22:33:29
★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
yuh1984(金币+10,VIP+0):谢谢你！已经很详细了。 3-11 13:59
yuh1984(金币+5,VIP+0):3q！ 3-16 10:30
yuh1984(金币+10,VIP+0):谢谢你！已经很详细了。 3-11 13:59
yuh1984(金币+5,VIP+0):3q！ 3-16 10:30
|
你问的应该是场效应管 1. 不同的Vgs代表不同的栅控能力 这种曲线叫器件输出特性 看的是器件什么时候开启 什么时候饱和 有没有负阻出现 有没有自热效应等 也可以侧面反映 不同栅压时的泄漏电流 栅能承受多大电压等可靠性问题 有时也仅仅为了体现器件最高输出电流 2. 建议看看施敏的器件物理 涉及到很多公式 器件的亚阈特性非常关键 研究最多 3.也可以在不同的Vds下测量 如1中那种曲线一样是多条的 一般选择1中那个Vds 或者选择能够获得较高跨导(dVgs/dIds)时的值 4.宽长比对器件的性质影响很大 比如宽长比越大短沟道效应越严重 而且随着宽长比的改变器件的驱动电压等要跟着变化 |
2楼2009-03-11 13:03:17
陈勇跃
金虫 (正式写手)
- 应助: 6 (幼儿园)
- 金币: 1011.4
- 散金: 406
- 红花: 1
- 帖子: 770
- 在线: 550.3小时
- 虫号: 562734
- 注册: 2008-05-24
- 性别: GG
- 专业: 凝聚态物性 II ：电子结构
3楼2009-03-11 14:05:32
wanggc2939
金虫 (著名写手)
- 博学EPI: 5
- 应助: 2 (幼儿园)
- 金币: 43.2
- 散金: 2278
- 红花: 17
- 帖子: 1481
- 在线: 238.1小时
- 虫号: 650613
- 注册: 2008-11-10
- 性别: GG
- 专业: 基础物理学
6楼2009-03-16 13:43:46