24小时热门版块排行榜

返回列表

当前主题已经存档。

yuh1984

木虫 (著名写手)

应助: 0 (幼儿园)
金币: 3894.1
散金: 480
帖子: 1042
在线: 141.8小时
虫号: 642991
注册: 2008-11-01
性别: GG
专业: 凝聚态物性 II ：电子结构

[交流] 求助做半导体器件的高手进。

最近看半导体器件的文献，有几个不明白的问题，希望大家帮帮忙。
1.测Vgs不同值Vds与Ids的变换关系曲线为的是什么?
2.通过Vgs与Ids的变化曲线怎么求μsat和subthreshold gate-voltage swing（s）
他们两个的值有什么意义
3.Vgs与Ids的变化曲线是在Vds一定下测量的，这个Vds是怎么选取的？
4.W/L对于器件的性质有没有什么影响
才开始看器件的文献，提出这些问题，请别见笑！谢谢大家帮忙！

回复此楼

» 猜你喜欢

基金申报已经有5人回复
基金委咋了？2026年的指南还没有出来？已经有7人回复
国自然申请面上模板最新2026版出了吗？已经有17人回复
纳米粒子粒径的测量已经有8人回复
疑惑？已经有5人回复
计算机、0854电子信息（085401-058412）调剂已经有5人回复
Materials Today Chemistry审稿周期已经有5人回复
溴的反应液脱色已经有7人回复
推荐一本书已经有12人回复
常年博士招收(双一流，工科) 已经有4人回复

1楼 2009-03-11 12:25:09

已阅回复此楼关注TA 给TA发消息送TA红花 TA的回帖

nigo

金虫 (著名写手)

应助: 0 (幼儿园)
金币: 835.3
红花: 3
帖子: 2041
在线: 135小时
虫号: 658823
注册: 2008-11-20
性别: GG
专业: 半导体材料

★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
yuh1984(金币+10,VIP+0):谢谢你！已经很详细了。 3-11 13:59
yuh1984(金币+5,VIP+0):3q！ 3-16 10:30

你问的应该是场效应管
1. 不同的Vgs代表不同的栅控能力
这种曲线叫器件输出特性
看的是器件什么时候开启
什么时候饱和
有没有负阻出现
有没有自热效应等
也可以侧面反映
不同栅压时的泄漏电流
栅能承受多大电压等可靠性问题
有时也仅仅为了体现器件最高输出电流

2. 建议看看施敏的器件物理
涉及到很多公式
器件的亚阈特性非常关键
研究最多
3.也可以在不同的Vds下测量
如1中那种曲线一样是多条的
一般选择1中那个Vds
或者选择能够获得较高跨导(dVgs/dIds)时的值
4.宽长比对器件的性质影响很大
比如宽长比越大短沟道效应越严重
而且随着宽长比的改变器件的驱动电压等要跟着变化