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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 金属 » 交流互助 » 磁控溅射氧化镍
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唱唱想读研

新虫 (小有名气)

[求助] 磁控溅射氧化镍 已有1人参与

请教各位虫友一个问题： 射频电源进行反应磁控溅射100W ,Ni靶，在si基底生成氧化镍，20分钟就生成了15nm, 是否正常？
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1楼 2017-12-26 16:54:31
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唱唱想读研

新虫 (小有名气)
引用回帖:
3楼: Originally posted by 野人禾禾 at 2017-12-27 10:26:23
应该说比较正常，可调范围比较小。（你可以再尝试改变气压和功率密度试试）
一是金属镍本身沉积速率就比一般金属（Al、Cu等）低，反应溅射更是降低了沉积速率；
二是镍靶导磁，已经相当于削弱了磁场溅射，等离子体 ...

好的，非常谢谢您
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5楼2018-01-31 11:07:20
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amitabha4824

铁虫 (小有名气)
20分钟15nm还行，算是比较低的速率，但正常。楼主是觉得高了？
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2楼2017-12-26 22:28:48
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野人禾禾

金虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

感谢参与，应助指数 +1
应该说比较正常，可调范围比较小。（你可以再尝试改变气压和功率密度试试）
一是金属镍本身沉积速率就比一般金属（Al、Cu等）低，反应溅射更是降低了沉积速率；
二是镍靶导磁，已经相当于削弱了磁场溅射，等离子体密度降低；
三是射频溅射的原理也决定了有效功率用于沉积的就比直流或脉冲的低；
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擅长薄膜材料工艺，欢迎交流captain0119
3楼2017-12-27 10:26:23
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唱唱想读研

新虫 (小有名气)
引用回帖:
2楼: Originally posted by amitabha4824 at 2017-12-26 22:28:48
20分钟15nm还行，算是比较低的速率，但正常。楼主是觉得高了？

谢谢，我觉得太低了
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4楼2018-01-31 11:07:00
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