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【求助】CdSe/CdS核壳结构量子点的合成
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最近小弟在合成CdSe/CdS核/壳结构量子点，目的是为了增强CdSe量子点在分离的过程中荧光性能的稳定性。 作为核心的CdSe量子点是用ODE和油酸作分别作为反应溶剂和量子点的配体，在200-240度下利用热注入法制备的。 包壳Cd前体曾选用过文献上介绍的CdO（用油酸溶解），醋酸镉（用TOP溶解）等； 而S前体选用六甲基硫代硅烷；包壳的温度从100度到200度都试过； 可是总也获得不了文献上的结果。   从理论上讲，CdSe量子点在表面包覆了CdS无机壳层后，荧光发射峰会发生几十nm的红移，发光效率会有很大的提高，稳定性也有所增强。 可是我在160度下进行包壳后，荧光峰虽然发生红移，但是发光效率和稳定性并没有明显的提高。从高分辨透射电镜照片上还可以看出：包壳后，量子点的尺寸看不出明显的增大，且量子点的团聚比较厉害，所以上文提到的荧光峰的红移主要是量子点的团聚造成的。我起初认为这是由于包壳温度不够，包壳前体没有生长到核心上。 而我将包壳温度进一步提高后（180-200度），反而会对原先的CdSe核心造成影响，使CdSe量子点在高温下发生熟化现象，进一步生长，有时甚至会出现双峰现象。而在注入包壳前体后，获得的产物的发光性能和稳定性仍然没有明显的提高。 另外，我看到文献上的核心CdSe都是在300度左右制备的，晶体结构为纤锌矿六方结构；而我制备的CdSe量子点为闪锌矿立方结构，不知晶体结构是否有很大的影响。 请各位具有相关制备经验的虫友给出您的意见。  [ Last edited by caosw2001 on 2009-2-26 at 16:25 ] |
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