| 查看: 1220 | 回复: 5 | ||
| 当前主题已经存档。 | ||
| 当前只显示满足指定条件的回帖，点击这里查看本话题的所有回帖 | ||
xiaomagh铁杆木虫 (正式写手)
|
[交流]
［讨论］怎样用VASP计算缺陷能？
|
|
|
各位大侠： 本人想计算空位形成能，我把我的做法说一下，请各位给予指点： 第一步，就是建立一个大的超原胞进行ISIF＝3的全优化，获得能量E1 第二步，在第一步优化的基础上，拿掉一个原子，用ISIF＝2进行优化计算获得能量E2 第三步，就是用得出结果 这里我不是很确定的就是在第二步计算中，到底是用ISIF＝2进行优化？ 还是有ISIF＝3进行优化获得能量？ 请各位大侠给予指点和探讨。 谢谢 [ Last edited by wuchenwf on 2009-6-22 at 22:32 ] |
回复此楼
xiaomagh
铁杆木虫 (正式写手)
- 应助: 1 (幼儿园)
- 金币: 6113.1
- 红花: 5
- 帖子: 652
- 在线: 150.8小时
- 虫号: 224710
- 注册: 2006-03-22
- 性别: GG
- 专业: 金属材料的合金相、相变及
4楼2009-02-20 21:04:56
2楼2009-02-20 20:09:49
y1ding
铁杆木虫 (著名写手)
- 1ST强帖: 1
- 应助: 61 (初中生)
- 贵宾: 0.33
- 金币: 5959.3
- 散金: 1
- 红花: 21
- 帖子: 1884
- 在线: 491.1小时
- 虫号: 142265
- 注册: 2005-12-21
- 专业: 凝聚态物性 II ：电子结构
3楼2009-02-20 20:28:16
chemofish
木虫 (正式写手)
- 应助: 6 (幼儿园)
- 金币: 2960.4
- 红花: 3
- 帖子: 704
- 在线: 167.4小时
- 虫号: 481656
- 注册: 2007-12-18
- 性别: GG
- 专业: 半导体材料
6楼2009-03-02 21:34:03
