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xiaomagh

铁杆木虫 (正式写手)

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虫号: 224710
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性别: GG
专业: 金属材料的合金相、相变及

[交流] ［讨论］怎样用VASP计算缺陷能？

各位大侠：
本人想计算空位形成能，我把我的做法说一下，请各位给予指点：
第一步，就是建立一个大的超原胞进行ISIF＝3的全优化，获得能量E1
第二步，在第一步优化的基础上，拿掉一个原子，用ISIF＝2进行优化计算获得能量E2
第三步，就是用得出结果
这里我不是很确定的就是在第二步计算中，到底是用ISIF＝2进行优化？还是有ISIF＝3进行优化获得能量？

请各位大侠给予指点和探讨。

谢谢

[ Last edited by wuchenwf on 2009-6-22 at 22:32 ]

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1楼 2009-02-20 18:00:17

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xiaomagh

铁杆木虫 (正式写手)

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谢谢2楼和3楼的两位的指点。

但我还是有个问题，就是在计算缺陷的时候，一般引入了缺陷的话，Cell的体积还是有所变化的，如单空位，或者原子替换等，是不是可以用ISIF＝7，获得最佳的体积，然后用ISIF＝2获得能量值。这是其一
其二。一般来说，引入缺陷后，在缺陷的周围会产生晶格畸变，如何进行考虑？如果从这层意思上理解的话，还是应该用ISIF＝3，但是往往这样会导致整个CELL的形状发生了变化，但不知是否正确？
如此一来，我就犯起了糊涂，不知如何才能获得正确的缺陷能了。
还请给我指点迷津。

谢谢