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xiaomagh

铁杆木虫 (正式写手)

[交流] [讨论]怎样用VASP计算缺陷能?

各位大侠:
本人想计算空位形成能,我把我的做法说一下,请各位给予指点:
第一步,就是建立一个大的超原胞进行ISIF=3的全优化,获得能量E1
第二步,在第一步优化的基础上,拿掉一个原子,用ISIF=2进行优化计算获得能量E2
第三步,就是用得出结果
这里我不是很确定的就是在第二步计算中,到底是用ISIF=2进行优化? 还是有ISIF=3进行优化获得能量?

请各位大侠给予指点和探讨。  

谢谢

[ Last edited by wuchenwf on 2009-6-22 at 22:32 ]
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jghe

金虫 (著名写手)

★ ★
zxzj05(金币+2,VIP+0):xiexie 期待多参与讨论! 2-20 21:37
一般用ISIF=2就够了
2楼2009-02-20 20:09:49
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y1ding

铁杆木虫 (著名写手)

★ ★
zxzj05(金币+2,VIP+0):xiexie 期待多参与讨论! 2-20 21:37
引用回帖:
Originally posted by jghe at 2009-2-20 20:09:
一般用ISIF=2就够了

如果超元胞足够大,用2。
否则,还是用isif=3。
3楼2009-02-20 20:28:16
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xiaomagh

铁杆木虫 (正式写手)

谢谢2楼和3楼的两位的指点。

但我还是有个问题,就是在计算缺陷的时候,一般引入了缺陷的话,Cell的体积还是有所变化的,如单空位,或者原子替换等,是不是可以用ISIF=7,获得最佳的体积,然后用ISIF=2获得能量值。这是其一
其二。一般来说,引入缺陷后,在缺陷的周围会产生晶格畸变,如何进行考虑?如果从这层意思上理解的话,还是应该用ISIF=3,但是往往这样会导致整个CELL的形状发生了变化,但不知是否正确?
如此一来,我就犯起了糊涂,不知如何才能获得正确的缺陷能了。
还请给我指点迷津。

谢谢
4楼2009-02-20 21:04:56
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stractor

金虫 (著名写手)


zxzj05(金币+1,VIP+0):xiexie 期待多参与讨论! 3-2 16:08
用ISIF=3
5楼2009-03-02 15:41:55
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chemofish

木虫 (正式写手)


wuli8(金币+1,VIP+0):(*^__^*)辛苦了 3-3 12:23
应该设置ISIF=2, 计算空位的假设本来就是空位的浓度很小,不对晶体的结构产生影响
,这也是为什么有些作者只让空位周围的原子移动的原因。
6楼2009-03-02 21:34:03
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