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pecvd 生长二氧化硅用作电学隔离，应该长多厚？后期应该怎么处理？ 已有1人参与
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在硅片上离子注入制造电阻，然后需要在硅上布一层氧化硅，然后溅射金属做导线，需要金属和硅绝缘，由于器件结构和工艺限制问题，没法做热氧隔离。所以需要用PECVD 长二氧化硅做绝缘，不知道大家有没有经验，这个需要长多厚，文献里有描述，后面需要对这层氧化硅进行高温增密，这个应该在什么气氛什么温度下进行呢？ 发自小木虫IOS客户端 |
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 薄膜制备与特性 |
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PECVD生长的二氧化硅的致密性不是很好，有一定的漏电流，你电压多大？氧化炉纯干氧生长的二氧化硅层致密性会好点。 发自小木虫Android客户端 |
5180152472楼2017-09-05 13:55:57
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