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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 微米和纳米 » 微纳加工 » pecvd 生长二氧化硅用作电学隔离，应该长多厚？后期应该怎么处理？
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518015247

新虫 (初入文坛)

[求助] pecvd 生长二氧化硅用作电学隔离，应该长多厚？后期应该怎么处理？ 已有1人参与

在硅片上离子注入制造电阻，然后需要在硅上布一层氧化硅，然后溅射金属做导线，需要金属和硅绝缘，由于器件结构和工艺限制问题，没法做热氧隔离。所以需要用PECVD 长二氧化硅做绝缘，不知道大家有没有经验，这个需要长多厚，文献里有描述，后面需要对这层氧化硅进行高温增密，这个应该在什么气氛什么温度下进行呢？

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1楼 2017-09-05 09:28:11
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贪吃的小瓶儿

新虫 (初入文坛)
PECVD生长的二氧化硅的致密性不是很好，有一定的漏电流，你电压多大？氧化炉纯干氧生长的二氧化硅层致密性会好点。

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518015247
2楼2017-09-05 13:55:57
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518015247

新虫 (初入文坛)
送红花一朵
引用回帖:
2楼: Originally posted by 贪吃的小瓶儿 at 2017-09-05 13:55:57
PECVD生长的二氧化硅的致密性不是很好，有一定的漏电流，你电压多大？氧化炉纯干氧生长的二氧化硅层致密性会好点。

5V左右的电压。我是想把CVD长的氧化硅长厚一点，比如直接长500nm.不知道这样能不能好些。
用干氧生长氧化硅的，会不会对我之前做的离子注入有影响？
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3楼2017-09-05 14:03:50
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chichister

金虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

5V电压的条件，1um的SiO2的绝缘性已经非常好了，我做过实验。
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似水流年等闲过...
4楼2018-05-17 16:38:20
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