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bluence新虫 (小有名气)
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[求助]
硅基MIS器件4.8V界面势垒
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求助！！ 小弟做的硅基MIS器件界面势垒达到了4.8V，氧化层2nm，硅是高阻硅，金属用石墨烯 这种半导体表面这么高的势垒，2nm的氧化层应该挡不住隧穿电流，我认为不太可能有这种情况，但是正常分析实验数据的话就会得到这个结果 所以，想请问大牛是否见过类似的情况？ |
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