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bluence新虫 (小有名气)
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[求助]
硅基MIS器件4.8V界面势垒
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求助!! 小弟做的硅基MIS器件界面势垒达到了4.8V,氧化层2nm,硅是高阻硅,金属用石墨烯 这种半导体表面这么高的势垒,2nm的氧化层应该挡不住隧穿电流,我认为不太可能有这种情况,但是正常分析实验数据的话就会得到这个结果 所以,想请问大牛是否见过类似的情况? |
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2楼2017-08-31 11:23:53









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