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PRB审稿意见求助，小硕一枚，第一次投稿实在没有经验，看到审稿意见有点蒙，下面问题不知道怎么回答，请求大家帮忙，讨论，感激~  计算体系：第一性原理VASP计算金半界面肖特基势垒高度的文章，模型包含6层金属和8层半导体，并且在界面做了掺杂，研究了掺杂对势垒的影响 1，Since 8 layers of semiconductor and 6 layers of metal are used, there should be a significant quantum confinement in the direction perpendicular to the interface. This will push down the valence band of semiconductor and probably affect the resulting calculated Schottky barrier height. Therefore some sort of correction is needed, to obtain a realistic barrier height. 此处不知道要加什么修正，如果加修正那不是所有结果都要重新计算？不现实啊。如果不加修正，此处如何规避掉这个问题？ |
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【答案】应助回帖
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建议读一下这篇文章： APPLIED PHYSICS LETTERS 110, 233110 (2017) A theoretical model for predicting Schottky-barrier height of the nanostructured silicide-silicon junction http://dx.doi.org/10.1063/1.4985013 了解一下问题的所在和可进行的修正处理。 |
4楼2017-08-09 13:28:26
léon_WANG
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2楼2017-08-08 10:48:41
wyraul
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【答案】应助回帖
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wuning128: 金币+25, ★★★很有帮助 2017-08-11 20:10:16
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wuning128: 金币+25, ★★★很有帮助 2017-08-11 20:10:16
| 猜测审稿人的意思是由于你的层数比较少，由于外面你用的是真空层，故在量子束缚效应的背景下半导体的带底(顶)与真实的带底(顶)会有微小的差距，从而会影响到你计算所得的势垒高度。让你把这个误差估计考虑进去。两种思路：条件允许的话，适当改变模型半导体和金属的层数，做一个模型厚度相关的计算，证实你的6层金属和8层半导体层足够支撑你的结论。其二，采用量子力学的量子阱模型，估计一下这个偏差，需要强调的是，楼主是做的金半接触，可能三角形势阱模型更好一些。 |
3楼2017-08-08 12:52:01
5楼2017-08-11 20:22:54
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