| ²é¿´: 1728 | »Ø¸´: 4 | ||
[ÇóÖú]
PRBÉó¸åÎÊÌâÇóÖú ÒÑÓÐ2È˲ÎÓë
|
PRBÉó¸åÒâ¼ûÇóÖú£¬Ð¡Ë¶Ò»Ã¶£¬µÚÒ»´ÎͶ¸åʵÔÚûÓоÑ飬¿´µ½Éó¸åÒâ¼ûÓеãÃÉ£¬ÏÂÃæÎÊÌâ²»ÖªµÀÔõô»Ø´ð£¬ÇëÇó´ó¼Ò°ï棬ÌÖÂÛ£¬¸Ð¼¤~ ![]() ¼ÆËãÌåϵ£ºµÚÒ»ÐÔÔÀíVASP¼ÆËã½ð°ë½çÃæÐ¤ÌØ»ùÊÆÀݸ߶ȵÄÎÄÕ£¬Ä£ÐͰüº¬6²ã½ðÊôºÍ8²ã°ëµ¼Ì壬²¢ÇÒÔÚ½çÃæ×öÁ˲ôÔÓ£¬Ñо¿Á˲ôÔÓ¶ÔÊÆÀݵÄÓ°Ïì 1£¬Since 8 layers of semiconductor and 6 layers of metal are used, there should be a significant quantum confinement in the direction perpendicular to the interface. This will push down the valence band of semiconductor and probably affect the resulting calculated Schottky barrier height. Therefore some sort of correction is needed, to obtain a realistic barrier height. ´Ë´¦²»ÖªµÀÒª¼ÓʲôÐÞÕý£¬Èç¹û¼ÓÐÞÕýÄDz»ÊÇËùÓнá¹û¶¼ÒªÖØÐ¼ÆË㣿²»ÏÖʵ°¡¡£Èç¹û²»¼ÓÐÞÕý£¬´Ë´¦ÈçºÎ¹æ±ÜµôÕâ¸öÎÊÌ⣿ |
» ²ÂÄãϲ»¶
Ò»Ö¾Ô¸ÎäÀí²ÄÁÏ305·ÖÇóµ÷¼Á
ÒѾÓÐ5È˻ظ´
²ÄÁÏר˶ӢһÊý¶þ306
ÒѾÓÐ3È˻ظ´
085600²ÄÁÏÓ뻯¹¤µ÷¼Á 324·Ö
ÒѾÓÐ7È˻ظ´
311Çóµ÷¼Á
ÒѾÓÐ3È˻ظ´
26µ÷¼Á/²ÄÁÏ/Ó¢Ò»Êý¶þ/×Ü·Ö289/ÒѹýAÇøÏß
ÒѾÓÐ7È˻ظ´
295Çóµ÷¼Á
ÒѾÓÐ5È˻ظ´
354Çóµ÷¼Á
ÒѾÓÐ5È˻ظ´
²ÄÁÏרҵÇóµ÷¼Á
ÒѾÓÐ3È˻ظ´
Çó²ÄÁϵ÷¼Á
ÒѾÓÐ7È˻ظ´
Ò»Ö¾Ô¸Ìì´ó²ÄÁÏÓ뻯¹¤£¨085600£©×Ü·Ö338
ÒѾÓÐ3È˻ظ´
» ±¾Ö÷ÌâÏà¹Ø¼ÛÖµÌùÍÆ¼ö£¬¶ÔÄúͬÑùÓаïÖú:
PRBͶ¸åÇóÖú
ÒѾÓÐ6È˻ظ´
ÇóÖú PRB Ͷ¸å ²ßÂÔ
ÒѾÓÐ2È˻ظ´
Phys.Rev.BͶ¸å-ÇóÖú
ÒѾÓÐ3È˻ظ´
l¨¦on_WANG
ľ³æ (СÓÐÃûÆø)
- Ó¦Öú: 5 (Ó×¶ùÔ°)
- ½ð±Ò: 2577.5
- É¢½ð: 20
- ºì»¨: 4
- Ìû×Ó: 156
- ÔÚÏß: 226.1Сʱ
- ³æºÅ: 2458360
- ×¢²á: 2013-05-10
- רҵ: Äý¾Û̬ÎïÐÔI:½á¹¹¡¢Á¦Ñ§ºÍ
2Â¥2017-08-08 10:48:41
wyraul
Òø³æ (ÕýʽдÊÖ)
- Ó¦Öú: 19 (СѧÉú)
- ½ð±Ò: 11961.2
- ºì»¨: 1
- Ìû×Ó: 495
- ÔÚÏß: 810.3Сʱ
- ³æºÅ: 493423
- ×¢²á: 2008-01-10
- רҵ: °ëµ¼Ìå²ÄÁÏ
¡¾´ð°¸¡¿Ó¦Öú»ØÌû
¡ï ¡ï ¡ï ¡ï ¡ï ¡ï ¡ï ¡ï ¡ï ¡ï ¡ï ¡ï ¡ï ¡ï ¡ï ¡ï ¡ï ¡ï ¡ï ¡ï ¡ï ¡ï ¡ï ¡ï ¡ï
¸Ðл²ÎÓ룬ӦÖúÖ¸Êý +1
wuning128: ½ð±Ò+25, ¡ï¡ï¡ïºÜÓаïÖú 2017-08-11 20:10:16
¸Ðл²ÎÓ룬ӦÖúÖ¸Êý +1
wuning128: ½ð±Ò+25, ¡ï¡ï¡ïºÜÓаïÖú 2017-08-11 20:10:16
| ²Â²âÉó¸åÈ˵ÄÒâ˼ÊÇÓÉÓÚÄãµÄ²ãÊý±È½ÏÉÙ£¬ÓÉÓÚÍâÃæÄãÓõÄÊÇÕæ¿Õ²ã£¬¹ÊÔÚÁ¿×ÓÊø¸¿Ð§Ó¦µÄ±³¾°Ï°뵼ÌåµÄ´øµ×(¶¥)ÓëÕæÊµµÄ´øµ×(¶¥)»áÓÐ΢СµÄ²î¾à£¬´Ó¶ø»áÓ°Ïìµ½Äã¼ÆËãËùµÃµÄÊÆÀݸ߶ȡ£ÈÃÄã°ÑÕâ¸öÎó²î¹À¼Æ¿¼ÂǽøÈ¥¡£Á½ÖÖ˼·£ºÌõ¼þÔÊÐíµÄ»°£¬Êʵ±¸Ä±äÄ£ÐͰ뵼ÌåºÍ½ðÊôµÄ²ãÊý£¬×öÒ»¸öÄ£Ðͺñ¶ÈÏà¹ØµÄ¼ÆË㣬֤ʵÄãµÄ6²ã½ðÊôºÍ8²ã°ëµ¼Ìå²ã×ã¹»Ö§³ÅÄãµÄ½áÂÛ¡£Æä¶þ£¬²ÉÓÃÁ¿×ÓÁ¦Ñ§µÄÁ¿×ÓÚåÄ£ÐÍ£¬¹À¼ÆÒ»ÏÂÕâ¸öÆ«²î£¬ÐèҪǿµ÷µÄÊÇ£¬Â¥Ö÷ÊÇ×öµÄ½ð°ë½Ó´¥£¬¿ÉÄÜÈý½ÇÐÎÊÆÚåÄ£Ð͸üºÃһЩ¡£ |
3Â¥2017-08-08 12:52:01
valenhou001
ÖÁ×ðľ³æ (Ö°Òµ×÷¼Ò)
- 1STÇ¿Ìû: 13
- Ó¦Öú: 241 (´óѧÉú)
- ½ð±Ò: 25701.7
- É¢½ð: 602
- ºì»¨: 166
- Ìû×Ó: 3782
- ÔÚÏß: 873.8Сʱ
- ³æºÅ: 1007127
- ×¢²á: 2010-04-27
- רҵ: Äý¾Û̬ÎïÐÔ II £ºµç×ӽṹ
¡¾´ð°¸¡¿Ó¦Öú»ØÌû
¡ï ¡ï ¡ï ¡ï ¡ï ¡ï ¡ï ¡ï ¡ï ¡ï ¡ï ¡ï ¡ï ¡ï ¡ï
¸Ðл²ÎÓ룬ӦÖúÖ¸Êý +1
wuning128: ½ð±Ò+15, ¡ï¡ï¡ïºÜÓаïÖú 2017-08-11 20:10:23
¸Ðл²ÎÓ룬ӦÖúÖ¸Êý +1
wuning128: ½ð±Ò+15, ¡ï¡ï¡ïºÜÓаïÖú 2017-08-11 20:10:23
|
½¨Òé¶ÁÒ»ÏÂÕâÆªÎÄÕ£º APPLIED PHYSICS LETTERS 110, 233110 (2017) A theoretical model for predicting Schottky-barrier height of the nanostructured silicide-silicon junction http://dx.doi.org/10.1063/1.4985013 Á˽âÒ»ÏÂÎÊÌâµÄËùÔںͿɽøÐеÄÐÞÕý´¦Àí¡£ |
4Â¥2017-08-09 13:28:26
5Â¥2017-08-11 20:22:54














»Ø¸´´ËÂ¥