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lingfaling金虫 (著名写手)
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vasp模拟计算HER析氢反应 已有1人参与
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最近在做一些vasp模拟计算HER析氢反应，很多文献在模拟计算析氢反应时，把催化剂对H的吸附的作为关键一步。通常认为当吸附H的吉布斯自由能接近于零时，HER 反应容易发生。我尝试着用vasp，GGA, PBE重复了MoS2的Mo-edge对H的吸附，可是怎么也重复不出来文献中的结果,模拟计算出来的H的吸附能很强，吉布斯自由能为-0.2~-0.3eV。文献中一般在0.06eV.我尝试着考虑了加入VDW，可是依然是吸附很强。不晓得是怎么回事，卡这里很久了。请求各位专家同行指点迷津。万分感谢！ 发自小木虫Android客户端 |
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【答案】应助回帖
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最近在做一些vasp模拟计算HER析氢反应，很多文献在模拟计算析氢反应时，把催化剂对H的吸附的作为关键一步。通常认为当吸附H的吉布斯自由能接近于零时，HER 反应容易发生。我尝试着用vasp，GGA, PBE重复了MoS2的Mo-edge对H的吸附，可是怎么也重复不出来文献中的结果,模拟计算出来的H的吸附能很强，吉布斯自由能为-0.2~-0.3eV。文献中一般在0.06eV.我尝试着考虑了加入VDW，可是依然是吸附很强。不晓得是怎么回事，卡这里很久了。请求各位专家同行指点迷津。万分感谢！ 你这个不太好回答 是1T MoS2吗？ 吸附位是否相同？覆盖度是否相同？输入文件能否贴一下？ |
7楼2021-07-11 02:01:09
huixiong0627
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2楼2017-09-10 11:55:08
scholarallen
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3楼2018-02-01 15:39:34
scholarallen
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