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lingfaling金虫 (著名写手)
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vasp模拟计算HER析氢反应 已有1人参与
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最近在做一些vasp模拟计算HER析氢反应,很多文献在模拟计算析氢反应时,把催化剂对H的吸附的作为关键一步。通常认为当吸附H的吉布斯自由能接近于零时,HER 反应容易发生。我尝试着用vasp,GGA, PBE重复了MoS2的Mo-edge对H的吸附,可是怎么也重复不出来文献中的结果,模拟计算出来的H的吸附能很强,吉布斯自由能为-0.2~-0.3eV。文献中一般在0.06eV.我尝试着考虑了加入VDW,可是依然是吸附很强。不晓得是怎么回事,卡这里很久了。请求各位专家同行指点迷津。万分感谢! 发自小木虫Android客户端 |
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5楼2018-07-16 09:35:19
6楼2018-07-18 01:15:12
【答案】应助回帖
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最近在做一些vasp模拟计算HER析氢反应,很多文献在模拟计算析氢反应时,把催化剂对H的吸附的作为关键一步。通常认为当吸附H的吉布斯自由能接近于零时,HER 反应容易发生。我尝试着用vasp,GGA, PBE重复了MoS2的Mo-edge对H的吸附,可是怎么也重复不出来文献中的结果,模拟计算出来的H的吸附能很强,吉布斯自由能为-0.2~-0.3eV。文献中一般在0.06eV.我尝试着考虑了加入VDW,可是依然是吸附很强。不晓得是怎么回事,卡这里很久了。请求各位专家同行指点迷津。万分感谢! 你这个不太好回答 是1T MoS2吗? 吸附位是否相同?覆盖度是否相同?输入文件能否贴一下? |

7楼2021-07-11 02:01:09











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