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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 微米和纳米 » 微纳加工 » RIE刻蚀后光刻胶难以去除
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jph1130

铜虫 (小有名气)

[求助] RIE刻蚀后光刻胶难以去除 已有5人参与

本人用光刻胶掩膜，做RIE刻sio2用到的气体有He  CHF3    STS 深硅刻蚀  SF6.    刻蚀以后的光刻胶用丙酮超声，或者NAOH超声去除不了，会粘覆在结构区。用氧离子清洗比丙酮和NAOH要好一些，但是还有部分残余。

RIE刻蚀后光刻胶难以去除


RIE刻蚀后光刻胶难以去除-1


@xiejf @yswyx @dut_ameng 发自小木虫IOS客户端
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1楼 2017-07-13 12:54:07
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回帖支持 ( 显示支持度最高的前 50 名 )

yswyx

专家顾问 (著名写手)

【答案】应助回帖

感谢参与，应助指数 +1
又没收到提醒
以后发私信吧
这个经常发生啊，容易碳化的胶就是去不掉啊。最后的方法就只能是氧plasma玩命打了。
这么大的图形，以后用湿法吧。
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» 本帖已获得的红花（最新10朵）

jph1130
3楼2017-07-14 14:51:39
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15190052720

新虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

引用回帖:
8楼: Originally posted by zhisuncom at 2017-07-15 13:57:29
是否是氧等离子和超声清洗结合在一下反复做。等离子中的气体流量和射频功率，超声的频率等技术参数有讲究吗？...

频率一般就是13.65khz，你说的是功率吧？功率越高，蚀刻越快，但均匀性越差。反之。

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10楼2017-07-15 18:14:13
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苏州研究所

新虫 (初入文坛)

【答案】应助回帖

感谢参与，应助指数 +1
氧等离子体结合一些氩、氮等离子体轰击，注意时间不要太久，再用湿法，来来回回，就可以啦。
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7楼2017-07-15 11:35:30
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15190052720

新虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

感谢参与，应助指数 +1
引用回帖:
8楼: Originally posted by zhisuncom at 2017-07-15 13:57:29
是否是氧等离子和超声清洗结合在一下反复做。等离子中的气体流量和射频功率，超声的频率等技术参数有讲究吗？...

氧气plasma，流量越小压力越低。蚀刻率就越快，但不均匀，反之。

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9楼2017-07-15 18:13:14
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普通回帖

jph1130

铜虫 (小有名气)
胶是RZJ-304瑞红

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2楼2017-07-13 16:32:45
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w枕戈待旦

木虫 (正式写手)
引用回帖:
3楼: Originally posted by yswyx at 2017-07-14 14:51:39
又没收到提醒
以后发私信吧
这个经常发生啊，容易碳化的胶就是去不掉啊。最后的方法就只能是氧plasma玩命打了。
这么大的图形，以后用湿法吧。

你好，我也是用RIE的，不过我是用氩气刻蚀铜形成微结构，就是纯物理刻蚀，微结构尺度是几个微米的，铜是20nm，每次刻蚀都要1个小时，我看文献都是刻蚀几分钟就刻蚀到硅了，而且最后也是光刻胶去不掉，不知道是不是时间太长的原因。
RIE刻蚀后光刻胶难以去除-2


RIE刻蚀后光刻胶难以去除-3



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4楼2017-07-14 16:19:43
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w枕戈待旦

木虫 (正式写手)
多发了一张，网络延迟，非常抱歉啊！

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5楼2017-07-14 16:21:28
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jph1130

铜虫 (小有名气)
送红花一朵
引用回帖:
3楼: Originally posted by yswyx at 2017-07-14 14:51:39
又没收到提醒
以后发私信吧
这个经常发生啊，容易碳化的胶就是去不掉啊。最后的方法就只能是氧plasma玩命打了。
这么大的图形，以后用湿法吧。

碳化以后用硫酸加双氧水煮可以去掉吗

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6楼2017-07-15 10:14:58
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zhisuncom

银虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

感谢参与，应助指数 +1
引用回帖:
7楼: Originally posted by 苏州研究所 at 2017-07-15 11:35:30
氧等离子体结合一些氩、氮等离子体轰击，注意时间不要太久，再用湿法，来来回回，就可以啦。

是否是氧等离子和超声清洗结合在一下反复做。等离子中的气体流量和射频功率，超声的频率等技术参数有讲究吗？
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专业生产样品前处理设备，提供试样测试服务、科研解决方案和技术咨询，给好项目提供技术和资金支持
8楼2017-07-15 13:57:29
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