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RIE刻蚀后光刻胶难以去除 已有5人参与
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本人用光刻胶掩膜，做RIE刻sio2用到的气体有He CHF3 STS 深硅刻蚀 SF6. 刻蚀以后的光刻胶用丙酮超声，或者NAOH超声去除不了，会粘覆在结构区。用氧离子清洗比丙酮和NAOH要好一些，但是还有部分残余。  @xiejf @yswyx @dut_ameng 发自小木虫IOS客户端 |
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你好，我也是用RIE的，不过我是用氩气刻蚀铜形成微结构，就是纯物理刻蚀，微结构尺度是几个微米的，铜是20nm，每次刻蚀都要1个小时，我看文献都是刻蚀几分钟就刻蚀到硅了，而且最后也是光刻胶去不掉，不知道是不是时间太长的原因。   发自小木虫Android客户端 |
4楼2017-07-14 16:19:43
2楼2017-07-13 16:32:45
yswyx 
专家顾问 (著名写手)
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- 性别: GG
- 专业: 半导体微纳机电器件与系统
- 管辖: 微米和纳米
jph11303楼2017-07-14 14:51:39
5楼2017-07-14 16:21:28
