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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 专业学科区 » 物理 » 原子、分子&光学 » 掺杂的半导体在受到光照后，为什么少子迁移至半导体表面
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马苗苗马苗苗

新虫 (小有名气)

[求助] 掺杂的半导体在受到光照后，为什么少子迁移至半导体表面 已有1人参与

在做电化学实验时，想利用半导体价带上的空穴去氧化水。于是文献里说，为了把空穴带到表面，我们使用N型半导体。N型半导体受到光照后，少子空穴会迁移到半导体表面，这样一个现象，我不懂。空穴迁移到半导体表面，而电子往里面走，是什么驱使它们这么迁移的。小女子十分不理解，希望有上仙可以帮帮我。
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1楼 2017-06-17 11:58:50
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gege43

银虫 (小有名气)
表面光伏效应 不过和能带弯曲以及光子能量有关

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呵呵
2楼2017-06-17 12:53:51
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holyge

新虫 (初入文坛)

【答案】应助回帖

半导体在表面处由于晶格结构中断，界面处形成表面态，导致表面能带轻微弯曲，弯曲处形成电场，驱动光照后产生电子空穴对发生漂移
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3楼2017-06-23 11:05:30
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