| 查看: 920 | 回复: 2 | ||
[求助]
掺杂的半导体在受到光照后,为什么少子迁移至半导体表面 已有1人参与
|
在做电化学实验时,想利用半导体价带上的空穴去氧化水。于是文献里说,为了把空穴带到表面,我们使用N型半导体。N型半导体受到光照后,少子空穴会迁移到半导体表面,这样一个现象,我不懂。空穴迁移到半导体表面,而电子往里面走,是什么驱使它们这么迁移的。小女子十分不理解,希望有上仙 可以帮帮我。 |
» 猜你喜欢
什么时候开奖?
已经有11人回复
范进中举一文的中心思想
已经有6人回复
建议基金发布提前给出明确的时间点
已经有14人回复
2026国自然函评费到账
已经有17人回复
让我中一个面上吧!
已经有15人回复
2026年的国家社科基金项目通讯评审的新规则与新动向、新挑战
已经有5人回复
跳槽后在研项目怎么办?
已经有10人回复
今天放榜吗?
已经有16人回复
93BebMhtakh前后11位开头都是大写
已经有8人回复
只有每年这种时候来逛逛小木虫
已经有26人回复

2楼2017-06-17 12:53:51
3楼2017-06-23 11:05:30









可以帮帮我。
回复此楼
40