| 查看: 867 | 回复: 2 | ||
[求助]
掺杂的半导体在受到光照后，为什么少子迁移至半导体表面 已有1人参与
|
在做电化学实验时，想利用半导体价带上的空穴去氧化水。于是文献里说，为了把空穴带到表面，我们使用N型半导体。N型半导体受到光照后，少子空穴会迁移到半导体表面，这样一个现象，我不懂。空穴迁移到半导体表面，而电子往里面走，是什么驱使它们这么迁移的。小女子十分不理解，希望有上仙 可以帮帮我。 |
回复此楼» 猜你喜欢
生物学学硕求调剂
已经有10人回复
-
上海电力大学材料防护与新材料重点实验室招收调剂研究生（材料、化学、电化学，环境）
已经有4人回复
-
材料学求调剂
已经有6人回复
-
303求调剂
已经有5人回复
-
一志愿武理085500机械专业总分300求调剂
已经有7人回复
-
考研调剂
已经有4人回复
-
281求调剂
已经有4人回复
-
0805 316求调剂
已经有6人回复
-
085601求调剂总分293英一数二
已经有3人回复
-
08工学调剂
已经有17人回复
2楼2017-06-17 12:53:51
3楼2017-06-23 11:05:30
