| 查看: 889 | 回复: 2 | ||
[求助]
掺杂的半导体在受到光照后，为什么少子迁移至半导体表面 已有1人参与
|
在做电化学实验时，想利用半导体价带上的空穴去氧化水。于是文献里说，为了把空穴带到表面，我们使用N型半导体。N型半导体受到光照后，少子空穴会迁移到半导体表面，这样一个现象，我不懂。空穴迁移到半导体表面，而电子往里面走，是什么驱使它们这么迁移的。小女子十分不理解，希望有上仙 可以帮帮我。 |
回复此楼» 猜你喜欢
河北省自然科学基金
已经有8人回复
-
西安交大新媒学院副院长用撤稿论文结题
已经有5人回复
-
论文撤稿了
已经有5人回复
-
某211大学教师把个人教师官方主页改成:我跑了我跑了我跑了!官宣跑路！
已经有5人回复
-
26/27申博自荐
已经有9人回复
-
售SCI一区T0P文章，我:8.O.5.5.1.O.5.4,科目齐全,可+急
已经有3人回复
-
售SCI一区T0P文章，我:8.O.5.5.1.O.5.4,科目齐全,可+急
已经有7人回复
-
揭秘青基评审内幕：几个A才能顺利中标
已经有4人回复
-
青B发送上会通知了吗
已经有7人回复
-
博士申请
已经有3人回复
2楼2017-06-17 12:53:51
3楼2017-06-23 11:05:30
10