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zhangfrank金虫 (正式写手)
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【求助】如何从计算角度确定某一个缺陷是施主/受主陷阱(donor/acceptor trap）? 已有3人参与
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如题：如何从计算角度确定某一个缺陷是施主/受主陷阱(donor/acceptor trap）? 【注意】：是从计算角度，分析计算的数据，而不是结合实验的经验来帮助判断。 比如从能带或者态密度图中看到半导体的禁带中有一个杂质能级，我们如何判断这个杂质能级是施主/受主陷阱(donor/acceptor trap）呢？ 很不严谨的理解，donor trap是在靠近导带底，acceptor trap是在靠近价带顶的位置，但是这是很不严谨的。donor trap也完全可以在靠近价带顶，acceptor trap也完全可以在靠近导带底的位置。 画transition level vs Fermi-level的图可以帮助判断donor/acceptor吗？或者算bader charge？能不能有做过这个方面分析的前辈给一些清晰的指点。 谢谢 |
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 带电掺杂体系形成能 | 缺陷计算 |
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bader分析可以吧，一般失去电子就是施主型，得到电子就是受主 发自小木虫IOS客户端 |
2楼2017-06-03 13:45:42
【答案】应助回帖
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zhangfrank: 金币+8, ★★★很有帮助 2017-06-04 09:45:48
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据我所知，我们通常人为的设定缺陷所带的一系列电荷数，然后通过优化计算它们缺陷形成能，一般情况下，形成能低的电荷态就是最可能出现的，当然这是随着费米能级变化的。这时再根据它带电荷的正负来判断它是何种缺陷。 发自小木虫IOS客户端 |
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zhangfrank8楼2017-06-03 23:45:50
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3楼2017-06-03 16:24:54
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5楼2017-06-03 20:01:37
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6楼2017-06-03 23:03:47
【答案】应助回帖
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其实最准确的是看缺陷带的电荷，我们在对带不同电荷态的缺陷进行优化的时候，如果稳定的缺陷是带正电荷。那么就是施主，反之是受主。 发自小木虫IOS客户端 |
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7楼2017-06-03 23:41:31
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