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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 计算模拟区 » 第一性原理 » Vasp&MedeA » 【求助】如何从计算角度确定某一个缺陷是施主/受主陷阱(donor/acceptor trap）?
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zhangfrank

金虫 (正式写手)
送红花一朵
引用回帖:
7楼: Originally posted by lison4 at 2017-06-03 23:41:31
其实最准确的是看缺陷带的电荷，我们在对带不同电荷态的缺陷进行优化的时候，如果稳定的缺陷是带正电荷。那么就是施主，反之是受主。
...

谢谢您的指点，我这里有个问题哈：
看缺陷带的电荷，是指画transition level vs Fermi-level的图么？据我所知这个只能用于bulk material的point defect体系，对于surface，interface的模型，特别是表面界面passivation这样复杂的模型，也是同样可以画transition level vs Fermi-level的图么？
谢谢您！
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计算顺利点吧
11楼2017-06-04 09:45:17
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zhangfrank

金虫 (正式写手)
送红花一朵
引用回帖:
8楼: Originally posted by lison4 at 2017-06-03 23:45:50
据我所知，我们通常人为的设定缺陷所带的一系列电荷数，然后通过优化计算它们缺陷形成能，一般情况下，形成能低的电荷态就是最可能出现的，当然这是随着费米能级变化的。这时再根据它带电荷的正负来判断它是何种缺陷 ...

感谢您的回复。能够回复三条，非常感动
我的模型是界面体系的界面处的passivation效果比较，体系有100多个原子，如果是算缺陷形成能会是比较复杂的计算量。我想请问，从bader charge， differencial charge这样的判据可以帮助判断缺陷性质么？
谢谢。
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计算顺利点吧
12楼2017-06-04 09:49:01
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lison4

金虫 (小有名气)
引用回帖:
11楼: Originally posted by zhangfrank at 2017-06-04 09:45:17
谢谢您的指点，我这里有个问题哈：
看缺陷带的电荷，是指画transition level vs Fermi-level的图么？据我所知这个只能用于bulk material的point defect体系，对于surface，interface的模型，特别是表面界面passi ...

不好意思，我也是刚开始学习不久，对于表面计算还没有太多的接触，期待后面有大佬来回复吧?

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13楼2017-06-04 09:58:15
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zhangfrank

金虫 (正式写手)
引用回帖:
13楼: Originally posted by lison4 at 2017-06-04 09:58:15
不好意思，我也是刚开始学习不久，对于表面计算还没有太多的接触，期待后面有大佬来回复吧?
...

好的 依然感谢
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计算顺利点吧
14楼2017-06-04 11:08:57
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zyqh

铁杆木虫 (著名写手)
帮顶
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雨后方能见彩虹
15楼2017-06-04 22:11:35
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dxcharlary

专家顾问 (职业作家)

【答案】应助回帖

引用回帖:
6楼: Originally posted by 有何不可琼 at 2017-06-03 23:03:47
我看PN结里，说是电子从费米能级高的转移到费米能级低的。但我用VASP算电荷转移正好相反。好头大。

vasp里面的费米能级没有意义。
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16楼2017-06-06 11:58:43
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zhangfrank

金虫 (正式写手)
引用回帖:
16楼: Originally posted by dxcharlary at 2017-06-06 11:58:43
vasp里面的费米能级没有意义。...

我觉的这么说太武断了吧。
对于理想半导体，费米能级是没有意义的。
对于参杂半导体，在bandgap中有gapstate，这时候如果计算出来Efermi和gap states的相对位置比如Ef在上面，说明Gap states是被电子occupation的，那是有物理意义的吧。
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计算顺利点吧
17楼2017-06-07 12:09:56
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dxcharlary

专家顾问 (职业作家)
引用回帖:
17楼: Originally posted by zhangfrank at 2017-06-07 12:09:56
我觉的这么说太武断了吧。
对于理想半导体，费米能级是没有意义的。
对于参杂半导体，在bandgap中有gapstate，这时候如果计算出来Efermi和gap states的相对位置比如Ef在上面，说明Gap states是被电子occupation的 ...

我说的是vasp给出来的费米能级的绝对数值没有物理意义。不是说费米能级本身没有物理意义。在同一体系里面费米能级和别的能级的能量差当然是有物理意义的。
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18楼2017-06-07 12:34:52
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有何不可琼

银虫 (著名写手)
引用回帖:
16楼: Originally posted by dxcharlary at 2017-06-06 11:58:43
vasp里面的费米能级没有意义。...

为什么？

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优秀的研究员是自己学出来的
19楼2017-06-07 13:41:53
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guaiguaizhxd

木虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

引用回帖:
12楼: Originally posted by zhangfrank at 2017-06-04 09:49:01
感谢您的回复。能够回复三条，非常感动
我的模型是界面体系的界面处的passivation效果比较，体系有100多个原子，如果是算缺陷形成能会是比较复杂的计算量。我想请问，从bader charge， differencial charge这样的 ...

只能对应中性不带电的情况~不过也是有参考意义，我之前做的一个工作就是用bader和差分电荷共同判断掺杂类型的。
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FiatLux
20楼2017-06-07 16:27:27
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