7楼: Originally posted by lison4 at 2017-06-03 23:41:31
其实最准确的是看缺陷带的电荷，我们在对带不同电荷态的缺陷进行优化的时候，如果稳定的缺陷是带正电荷。那么就是施主，反之是受主。
...

8楼: Originally posted by lison4 at 2017-06-03 23:45:50
据我所知，我们通常人为的设定缺陷所带的一系列电荷数，然后通过优化计算它们缺陷形成能，一般情况下，形成能低的电荷态就是最可能出现的，当然这是随着费米能级变化的。这时再根据它带电荷的正负来判断它是何种缺陷 ...

11楼: Originally posted by zhangfrank at 2017-06-04 09:45:17
谢谢您的指点，我这里有个问题哈：
看缺陷带的电荷，是指画transition level vs Fermi-level的图么？据我所知这个只能用于bulk material的point defect体系，对于surface，interface的模型，特别是表面界面passi ...

13楼: Originally posted by lison4 at 2017-06-04 09:58:15
不好意思，我也是刚开始学习不久，对于表面计算还没有太多的接触，期待后面有大佬来回复吧?
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6楼: Originally posted by 有何不可琼 at 2017-06-03 23:03:47
我看PN结里，说是电子从费米能级高的转移到费米能级低的。但我用VASP算电荷转移正好相反。好头大。

16楼: Originally posted by dxcharlary at 2017-06-06 11:58:43
vasp里面的费米能级没有意义。...

17楼: Originally posted by zhangfrank at 2017-06-07 12:09:56
我觉的这么说太武断了吧。
对于理想半导体，费米能级是没有意义的。
对于参杂半导体，在bandgap中有gapstate，这时候如果计算出来Efermi和gap states的相对位置比如Ef在上面，说明Gap states是被电子occupation的 ...

16楼: Originally posted by dxcharlary at 2017-06-06 11:58:43
vasp里面的费米能级没有意义。...

12楼: Originally posted by zhangfrank at 2017-06-04 09:49:01
感谢您的回复。能够回复三条，非常感动
我的模型是界面体系的界面处的passivation效果比较，体系有100多个原子，如果是算缺陷形成能会是比较复杂的计算量。我想请问，从bader charge， differencial charge这样的 ...