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igal

新虫 (小有名气)

[求助] 关于IR drop的来源及分析

最近做固态超级电容,在恒流充放电测试过程中产生了比较大的压降,查了一些文献还是不明白这个压降是怎么产生的以及怎么才能消除。
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李纯01

至尊木虫 (著名写手)

2楼2017-05-23 14:44:34
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李纯01

至尊木虫 (著名写手)

降低内势一方面更换更导电的集流体或者将材料做薄。

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3楼2017-05-23 14:45:59
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strugglejsp

木虫 (正式写手)

我做的也是,同问,谢谢!
4楼2017-05-23 15:57:19
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igal

新虫 (小有名气)

送红花一朵
引用回帖:
3楼: Originally posted by 李纯01 at 2017-05-23 14:45:59
降低内势一方面更换更导电的集流体或者将材料做薄。

嗯,我试试将材料做薄,看看效果
5楼2017-05-23 16:46:34
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ljh24

新虫 (小有名气)

不知道楼主问题解决了没,除了楼主提出的问题我很想问一下IR drop的具体数值该怎么确定
6楼2017-10-12 10:26:39
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七米~海岸

银虫 (小有名气)

引用回帖:
6楼: Originally posted by ljh24 at 2017-10-12 10:26:39
不知道楼主问题解决了没,除了楼主提出的问题我很想问一下IR drop的具体数值该怎么确定

看文献上是充电的最大值减去放电过程中的第一个点的数值,我也刚接触电化学,啥也不懂,不知道说的对不对,如果不对请多包涵
7楼2017-10-19 18:25:08
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