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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 化学化工区 » 电化学 » 电化基础 » 关于IR drop的来源及分析
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igal

新虫 (小有名气)

[求助] 关于IR drop的来源及分析

最近做固态超级电容，在恒流充放电测试过程中产生了比较大的压降，查了一些文献还是不明白这个压降是怎么产生的以及怎么才能消除。
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1楼 2017-05-23 14:18:25
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李纯01

至尊木虫 (著名写手)
器件电阻较大，内势过高。

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2楼2017-05-23 14:44:34
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李纯01

至尊木虫 (著名写手)
降低内势一方面更换更导电的集流体或者将材料做薄。

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» 本帖已获得的红花（最新10朵）

igal
3楼2017-05-23 14:45:59
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strugglejsp

木虫 (正式写手)
我做的也是，同问，谢谢！
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4楼2017-05-23 15:57:19
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igal

新虫 (小有名气)
送红花一朵
引用回帖:
3楼: Originally posted by 李纯01 at 2017-05-23 14:45:59
降低内势一方面更换更导电的集流体或者将材料做薄。

嗯，我试试将材料做薄，看看效果
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5楼2017-05-23 16:46:34
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ljh24

新虫 (小有名气)
不知道楼主问题解决了没，除了楼主提出的问题我很想问一下IR drop的具体数值该怎么确定
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6楼2017-10-12 10:26:39
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七米～海岸

银虫 (小有名气)
引用回帖:
6楼: Originally posted by ljh24 at 2017-10-12 10:26:39
不知道楼主问题解决了没，除了楼主提出的问题我很想问一下IR drop的具体数值该怎么确定

看文献上是充电的最大值减去放电过程中的第一个点的数值，我也刚接触电化学，啥也不懂，不知道说的对不对，如果不对请多包涵
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7楼2017-10-19 18:25:08
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